目前產能擴充有限,加上製程供應其他產品生產,無法滿足當前市場需求下,市場人士表示,DRAM 供不應求的情況將持續一整年,因此挹注國內記憶體廠商包括南亞科、華邦電、晶豪科等廠商的營運動能。
預估缺貨持續整年,DRAM 現貨價大漲挹注國內記憶體廠商動能 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2021 年 03 月 02 日 11:30 | 分類 會員專區 , 記憶體 , 財經 |
產能受限所致,伺服器 DRAM 第二季合約價漲幅達 10%~15% |
| 作者 TechNews|發布日期 2021 年 02 月 25 日 14:30 | 分類 伺服器 , 記憶體 | edit |
TrendForce 旗下半導體研究處調查,自 2020 年第三季至今,伺服器 DRAM 產能比重已降至三成左右,其比重調降除為平衡產品線的供需失衡,亦為調整各產品線 DRAM 平均零售價(ASP)。此外,今年第一季消費性終端產品的需求動能未見趨緩,故原廠仍延續去年產能規劃,然第二季為傳統伺服器整機出貨旺季,預期 server DRAM 需求將於第二季逐漸走強,進而使原廠伺服器 DRAM 報價更積極,預估第二季合約價將從原先 8%~13% 的漲幅調升為 10%~15%,不排除部分交易漲幅可達二成。 繼續閱讀..
Flash 供應吃緊、DARM 導入新製程順利,外資再升華邦電目標價 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2021 年 02 月 20 日 18:40 | 分類 會員專區 , 理財 , 記憶體 | edit |
針對才將開完法說會的國內記憶體大廠華邦電,美系外資在最新研究報告中表示,因為 Nor Flash、SLC NAND Flash、以及 DRAM 價格的反彈復甦,使得出貨價格能進一步獲得改善。再加上華邦電 25 奈米的發展符合預期,可以進一步降低成本的情況下,預期將使得 3 月及 4 月份的營收大幅提升。所以,該外資推翻 2 天前才發出的每股新台幣 35 元目標價,進一步提升目標價至每股 40 元,再重申其 「買進」 的投資評等。
分析機構曝光三星開發 1z 奈米 EUV 製程 DRAM 規格祕辛 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2021 年 02 月 20 日 15:20 | 分類 Samsung , 會員專區 , 材料、設備 | edit |
南韓三星近期積極將極紫外(EUV)曝光技術應用於採用 1z 奈米製程的 DRAM 記憶體生產,並完成量產。據半導體分析機構《TechInsights》拆解分別採用 EUV 技術和 ArF-i 技術的三星 1z 奈米製程 DRAM 後,發現 EUV 技術除了提升三星生產效率,還縮小 DRAM 的節點設計尺寸,另外還比較三星與美光 1z 奈米製程 DRAM,採用 EUV 技術的三星 DRAM 核心尺寸(Cell Size)同樣較小。
