外媒報導,NEO Semiconductor 宣布推出一項新技術,希望徹底改變 DRAM 記憶體的現狀。該公司推出了兩款新的 3D X-DRAM 單元設計,包括 1T1C 和 3T0C,其單電晶體單電容和三電晶體零電容的設計,預計將於 2026 年生產概念驗證測試晶片,並將提供當前一般 DRAM 模組 10 倍的容量。
新一代 3D X-DRAM 技術亮相,目標把 DRAM 位元容量提高 10 倍 |
作者 Atkinson|發布日期 2025 年 05 月 08 日 9:30 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 國際觀察 |