Tag Archives: imec

imec 攜手夥伴研究 12 吋氮化鎵,降低先進功率元件成本

作者 |發布日期 2025 年 10 月 08 日 9:15 | 分類 半導體 , 晶圓 , 材料、設備

比利時微電子研究中心(imec)攜手愛思強(AIXTRON)、格羅方德(GlobalFoundries)、美商科磊(KLA)、新思科技(Synopsys)與威科儀器(Veeco)成為其 12 吋氮化鎵(GaN)開放創新研究方向的首批研究夥伴,鎖定低壓與高壓功率電子元件應用。

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imec 宣布單次曝光 High NA EUV 微影技術重大突破,推進 2 奈米以下製程發展

作者 |發布日期 2025 年 09 月 29 日 10:10 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片

比利時微電子研究中心(imec)日前發布重大消息,宣布其在高數值孔徑極紫外曝光(High NA EUV)單次圖形化技術上取得新的突破性里程碑,代表著 High NA EUV 圖形化能力向 A10 及更先進邏輯節點邁進的強大實力,同時也強調了 imec 在曝光為影技術研發領域的領先地位。

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英商 Infinitesima 與 imec 合作,推次奈米晶圓量測技術發展

作者 |發布日期 2025 年 07 月 25 日 13:00 | 分類 半導體 , 晶圓

英國的先進半導體量測技術公司 Infinitesima 宣布與比利時 imec 共同展開三年合作專案,針對其 Metron3D 線上 3D 晶圓量測系統進行功能強化,聚焦於 High-NA EUV、混合鍵合(Hybrid Bonding)、CFET 等先進製程應用,並由 ASML 等業界領導者參與,以解決未來半導體製造對高解析 3D 量測的迫切需求。 繼續閱讀..

科林研發宣布新乾式光阻技術,可建立 28 奈米間距的高解析度圖案化

作者 |發布日期 2025 年 01 月 17 日 10:02 | 分類 半導體 , 晶圓 , 材料、設備

科林研發( Lam Research)宣布其創新的乾式光阻(dry resist)技術可直接印刷 28 奈米間距之後段(BEOL)邏輯製程,適用於 2 奈米以下先進製程,現已獲得在奈米電子與數位技術領域中,極具領導地位的研究與創新中心 imec 所認證。 繼續閱讀..

imec 最新超導數位核心組件,展現可擴充性與 CMOS 相容性

作者 |發布日期 2024 年 12 月 12 日 16:20 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片

在 2024 年 IEEE 國際電子會議(IEDM)上,比利時微電子研究中心(imec)展示三款超導數位電路的關鍵組件,包括基於氮化鈮鈦(NbTiN)的內連導線、約瑟夫森接面和 MIM 電容。這些元件不僅性能超越最頂尖的超導體技術,還能為推動人工智慧(AI)和高效能運算革命性發展所設計的超導數位系統滿足目標規格。此次展出的技術,不僅具備可擴充性,也與 CMOS 製造技術相容,消弭了實驗室規模的可行性研究走向業界製造的差距。

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為埃米時代開始準備,imec 提出雙列 CFET 結構推動 7 埃米製程

作者 |發布日期 2024 年 12 月 10 日 15:10 | 分類 GPU , IC 設計 , 半導體

在 2024 年 IEEE 國際電子會議(IEDM)上,比利時微電子研究中心(imec)發表一款採用互補式場效電晶體(CFET)的全新標準單元結構,內含兩列 CFET 元件,兩者之間共用一層訊號佈線牆。這種雙列 CFET 架構的主要好處在於簡化製程和大幅減少邏輯元件和靜態隨機存取記憶體(SRAM)的面積—根據 imec 進行的設計技術協同優化(DTCO)研究。與傳統的單列 CFET 相比,此新架構能讓標準單元高度從 4 軌降到 3.5 軌。

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