Tag Archives: NAND Flash

長江存儲擴產引發恐慌，分析師指四大因素強調短期難影響市場
作者 |發布日期 2026 年 04 月 15 日 15:30 |
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分類 中國觀察 , 半導體 , 記憶體

近期傳出中國最大 NAND Flash 快閃記憶體製造商長江存儲（YMTC）計劃大幅擴產，引發市場對於記憶體供應過剩的擔憂。然而，產業分析師表示，半導體擴廠至量產需時數年，且在 AI 應用帶動的爆發性需求下，長江存儲的擴產不僅難以造成全球供需失衡，整體 NAND Flash 產業長期甚至將處於供給嚴重不足的狀態。

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慧榮苟嘉章：NAND Flash 市場缺口持續擴大，2027 年將會最嚴重
作者 |發布日期 2026 年 04 月 13 日 13:30 |
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分類 AI 人工智慧 , IC 設計 , 公司治理

慧榮科技總經理苟嘉章表示，AI 推論 （Inference） 已全面引爆 AI 發展與市場需求，而在原廠產能受限與龐大需求拉扯下，記憶體產業正經歷 「結構性轉移」，NAND Flash 的缺貨狀況 2027 年將比 2026 年更為嚴重，價格持續上漲已成必然趨勢。

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慧榮科技南港台北企業總部動土興建，預計 2030 年完工啟用
作者 |發布日期 2026 年 04 月 13 日 13:00 |
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分類 IC 設計 , 公司治理 , 半導體

NAND 快閃記憶體控制晶片廠商慧榮科技 13 日於台北南港舉行台北企業總部新建工程動土典禮，象徵公司邁入營運發展新階段。慧榮科技董事長周邦基於致詞中表示，台北總部的設立，是我們邁向下一個成長階段的重要決策，也展現慧榮與台鐵攜手推動都市更新、促進產業與城市發展的合作成果。未來將透過串聯台北與竹北兩大據點，提升整體營運與研發效率。

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群聯加發一個月總計逾 4 億元獎金，潘健成：持續缺貨備資金搶庫存
作者 |發布日期 2026 年 04 月 11 日 11:30 |
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分類 AI 人工智慧 , IC 設計 , 公司治理

受惠於獲利表現亮眼，記憶體控制晶片大廠群聯電子在 11 日舉行的 26 週年家庭日當中，執行長潘健成面對在場 8,000 名員工與家屬宣布，到職年滿 1 年者將加發一個月的獎金，單月基層獎金總額超過新台幣 4 億元，並預期下半年將有更大規模的獎勵。潘健成在接受媒體聯訪時強調，公司秉持獲利分配「股東1/3、員工1/3、公司研發投資1/3」的原則，對未來營運展望抱持高度信心。

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DRAM 供應鏈限制將持續到 2028 年，瑞銀給美光目標價 535 美元
作者 |發布日期 2026 年 04 月 09 日 14:15 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

隨著中東地緣政治緊張局勢趨緩，記憶體大廠美光科技（Micron）股價也上漲超過 7%。同時，瑞銀集團（UBS）以定價環境改善與長期合約潛力為由，上調了對美光的目標價。瑞銀將給予美光「買入」投資評等，同時將目標價從 510 美元調升至 535 美元，與目前約 405 美元的股價相比，顯示出巨大的上漲潛力。

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AI 伺服器需求支撐 2Q26 記憶體合約價格上行，CSP 藉長約鎖定供貨
作者 |發布日期 2026 年 03 月 31 日 15:18 |
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分類 AI 人工智慧 , 伺服器 , 半導體

TrendForce 最新記憶體價格調查，2026 年第二季因 DRAM 原廠積極將產能轉向 HBM、伺服器應用，並採「補漲」策略拉近各類產品價差，儘管終端市場面臨出貨下修風險，整體一般型 DRAM（conventional DRAM）合約價格仍季增 58%~63%。NAND Flash 市場持續由 AI、資料中心需求主導， 全產品線連鎖漲價的效應不減，第二季整體合約價格將季增 70%~75%。 繼續閱讀..

三星中國西安廠 NAND 升級 236 層量產，286 層製程今年導入
作者 |發布日期 2026 年 03 月 30 日 11:00 |
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分類 Samsung , 半導體 , 記憶體

根據韓媒《Etnews》報導，三星電子正加快 NAND Flash 先進製程布局，已完成中國西安工廠第一階段製程轉換，將原有 128 層產品全面升級為 236 層第 8 代 NAND（V8），並正式進入量產。同時，公司亦規劃於今年內導入 286 層第 9 代 NAND（V9），持續強化競爭力。 繼續閱讀..

南亞科獲 SK 海力士等入股，專家：邊緣 AI 讓台廠不可或缺
作者 |發布日期 2026 年 03 月 26 日 10:20 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

DRAM 廠南亞科辦理 3 億 5,157 萬股私募增資，引進 SK 海力士、晟碟、鎧俠及思科等國際大廠投資入股。半導體業專家表示，這是南亞科和台灣記憶體發展重要轉折點，代表著，隨著邊緣 AI 興起，過去台廠從技術追隨者，如今已轉變成為不可或缺的角色。 繼續閱讀..

大摩看淡 DDR4 點名傳統 NAND 為新贏家，旺宏列為首選標的
作者 |發布日期 2026 年 03 月 25 日 9:15 |
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分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片

外資摩根士丹利 (大摩) 近日發布最新研究報告，針對市場對其近期降評 DDR4 的強烈質疑進行全面回應。大摩強調，看淡 DDR4 並不影響其對主流記憶體市場的樂觀看法，同時點名傳統 NAND 因具備獨特的供需動能，將成為記憶體市場的新贏家，並將旺宏列為首選標的。

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低容量 NAND Flash 供給緊縮、品牌推動 AI 革新，預估 2026 年智慧手機平均容量年增 4.8%
作者 |發布日期 2026 年 03 月 23 日 14:15 |
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分類 AI 人工智慧 , 手機 , 記憶體

根據 TrendForce 最新記憶體產業研究，儘管 2026 年全球智慧手機品牌面臨 NAND Flash 價格高漲壓力，但由於原廠製程升級迫使低容量規格淘汰，以及高階品牌旗艦機 AI 需求等因素驅動，預估全年手機平均容量將逆勢年增 4.8%。 繼續閱讀..

美光第二季毛利率達 74.4%，營收年增逾三倍財報表現驚豔
作者 |發布日期 2026 年 03 月 19 日 7:00 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

受惠於人工智慧（AI）晶片龍頭輝達（Nvidia）對記憶體需求激增所引發的供應短缺，美國記憶體製造大廠美光（Micron）在最新公布的會計年度第二季財報，繳出了極為亮眼的成績單。其營收表現不僅大幅超越分析師的預期，更達到了將近 2025 年同期的三倍之多。

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電鐵電晶體 NAND 高速與低功耗特性，引發輝達興趣攜手三星共同開發
作者 |發布日期 2026 年 03 月 13 日 8:40 |
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分類 AI 人工智慧 , Nvidia , Samsung

隨著人工智慧（AI）需求持續爆發，包含 HBM 與 NAND 快閃記憶體在內的各類記憶體晶片已普遍處於供不應求的局面。在此背景下，GPU 大廠輝達（Nvidia）正打破以往單純的供應鏈合作模式，罕見地直接加入韓國三星電子的研發行列，雙方將共同開發新的AI技術，並合作研發鐵電 NAND（Ferroelectric NAND）快閃記憶體。

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