Tag Archives: NAND Flash

需求是供應三倍，三星要縮減 NAND 與晶圓代工產線改生產 DRAM
作者 |發布日期 2025 年 11 月 21 日 16:45 |
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分類 Samsung , 半導體 , 晶片

面對全球人工智慧（AI）基礎設施投資快速擴張所帶動的 DRAM 需求激增，韓國三星電子正採取重大策略轉變，該公司計劃將位於平澤和華城園區的部分 NAND 快閃記憶體生產線，轉換為 DRAM 生產設施，以應對市場的強勁需求。此外，三星亦規劃將平澤四廠（P4）設立為專門的 DRAM 生產線，並應用最新的製程技術（1c），以期最大化公司獲利。

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記憶體短缺且價格大漲衝擊終端企業，廠商設法維持來源穩定
作者 |發布日期 2025 年 11 月 20 日 13:30 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 國際貿易

近來罕見的「記憶體超級週期」（Memory Supercycle）正以驚人的速度和嚴重程度衝擊全球硬體製造業及消費市場。由於 DRAM 和 NAND Flash 等關鍵零組件價格持續且大幅攀升，不僅嚴重侵蝕硬體製造商（OEM/ODM）的毛利率與獲利能力，更迫使終端產品定價上調，進而對疲軟的消費需求造成實質壓力。

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記憶體價格攀升衝擊消費市場，下修 2026 年智慧手機與筆電產業展望
作者 |發布日期 2025 年 11 月 17 日 14:40 |
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分類 半導體 , 國際貿易 , 記憶體

根據 TrendForce 調查顯示，2026 年宏觀經濟維持疲軟，地緣政治與通膨持續干擾消費市場表現，更關鍵的是，記憶體步入強勁上行週期，導致整機成本上揚，並將迫使終端定價上調，進而衝擊消費市場。基於此，TrendForce下修2026年全球智慧型手機及筆電的生產出貨預測，從原先的年增 0.1% 及 1.7%，分別調降至年減 2% 及2.4%。此外，若記憶體供需失衡加劇，或終端售價上調幅度超出預期，生產出貨預測仍有進一步下修風險。 繼續閱讀..

記憶體產業 2026 年資本支出仍顯保守，挹注位元產出成長有限
作者 |發布日期 2025 年 11 月 13 日 14:37 |
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分類 半導體 , 國際貿易 , 記憶體

TrendForce 調查顯示，記憶體平均銷售價格（ASP）持續提升，供應商獲利也增加，DRAM 與 NAND Flash 之後資本支出會持續上漲，但 2026 年位元產出成長挹注有限。DRAM 和 NAND Flash 產業投資重心逐漸轉變，從單純擴充產能轉向製程升級、高層數堆疊、 混合鍵合及 HBM 等高附加價值產品。 繼續閱讀..

NAND Flash 供應商打算以量制價，要減產提高市場價格以增加利潤
作者 |發布日期 2025 年 11 月 13 日 14:10 |
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分類 半導體 , 記憶體

根據韓國朝鮮日報的報導，包括三星電子、SK 海力士、鎧俠、美光等全球八大 NAND Flash 快閃記憶體製造商正討論，要縮減 2025 年下半年的 NAND Flash 快閃記憶體的供應量。分析人士指出，此類減產不可避免將造成供應鏈減少，藉以一方面透過控制供應使價格上漲，另一方面用以正加速將生產線轉換到生產 QLC 規格的產品，以應對人工智慧（AI）資料中心帶動的強勁 QLC 規格產品需求的成長。

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SK 海力士擘劃全線 AI 記憶體創造者願景，公開未來技術藍圖發展
作者 |發布日期 2025 年 11 月 03 日 13:30 |
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分類 AI 人工智慧 , IC 設計 , 半導體

在 AI 應用加速普及、資訊流量爆炸性成長的時代，半導體記憶體的重要性正迅速提升。韓國記憶體大廠 SK 海力士（SK hynix）執行長 Kwak Noh-Jung 於 11 月 3 日在首爾舉行的「SK AI Summit 2025」峰會上，發表了公司「全線 AI 記憶體創造者」（Full Stack AI Memory Creator）。的新願景，以在迎接下一個AI時代之前，SK 海力士能深化其角色。

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苟嘉章：推論應用對記憶體強勁需求是真的，AI 短期不會有泡沫化危機
作者 |發布日期 2025 年 11 月 01 日 18:00 |
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分類 AI 人工智慧 , IC 設計 , 半導體

全球科技產業正經歷由人工智慧（AI）需求所引發的結構性劇變。對此，記憶體 IC 設計廠商慧榮科技總經理苟嘉章表示，由於 AI 訓練與推論（inference）需求的真實性與強度超乎預期，短期內 AI 產業絕不會出現泡沫化危機。

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慧榮苟嘉章：記憶體缺貨潮缺口翻倍龐大，供應難填補 2026 年還將持續
作者 |發布日期 2025 年 11 月 01 日 17:30 |
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分類 IC 設計 , 半導體 , 處理器

記憶體控制 IC 廠商慧榮總經理苟嘉章表示，根本性來自於人工智慧（AI）推論（AI Inference）需求的爆發性增長，進一步造成近期的記憶體大缺貨情況。與過去的短缺不同，此輪短缺並非單一因素或減產所致，而是涉及高頻寬記憶體（HBM）、NAND Flash 及硬碟（HDD）三大核心儲存與記憶體元件同時緊缺，形成強大的「拉扯性」需求。預計 2026 年情況會持續，2027 年目前還無法預測，其轉折的關鍵點在於其中的重複下單情況何時開始發酵。

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不滿意第三季表現不如預期，旺宏董座向投資人致歉並重回生產管理第一線
作者 |發布日期 2025 年 10 月 29 日 19:45 |
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分類 半導體 , 記憶體 , 財報

記憶體大廠旺宏公佈了2025年第三季財務報告，儘管營收達到新台幣82億元，較前一季及2024年同期均有所改善，但獲利能力卻面臨嚴峻挑戰。第三季毛利率大幅降至13%，公司淨損達新台幣8.62億元，每股虧損0.47元。旺宏董事長吳敏求對此成績單表示「不滿意」，並對投資者表示抱歉。

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記憶體供不應求推升價格上漲，SK 海力士第三季營收創單季歷史新高
作者 |發布日期 2025 年 10 月 29 日 7:40 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

韓國記憶體大廠SK海力士發佈截至2025年9月30日的2025財年第三季財務報告。公司2025財年第三季營收為24.4489兆韓圜，較2024年同期成長39%。營業利益為11.3834兆韓圜，降2024年同期成長62%。淨利為12.5975兆韓圜，較2024年同期成長119%。2025財年第三季營業利潤率為47%，淨利潤率為52%。整體來說，表現合乎市場預期。

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DDR4 壽命延長、老舊 NAND Flash 需求回溫，台系供應鏈廠商受惠
作者 |發布日期 2025 年 10 月 27 日 9:50 |
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分類 半導體 , 記憶體 , 證券

外資大摩最新報告，資料中心對網路設備的需求持續強勁，舊型記憶體（如DDR4）壽命得以延長，加上市場可能低估了 DDR4 資料中心交換器的重要性，推高平均銷售價格（ASP）。基於強勁趨勢，大摩上調多家主要記憶體供應商的目標價。

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三星宣布 NAND Flash 產線導入 FinFET 製程
作者 |發布日期 2025 年 10 月 23 日 13:50 |
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分類 IC 設計 , Samsung , 半導體

三星電子近日宣布一項重大技術突破與未來願景，就是計劃將鰭式場效電晶體（FinFET）製程技術應用於 NAND Flash 快閃記憶體生產上。此動作被解讀為三星為因應人工智慧（AI）晶片組對更大容量 NAND Flash 快閃記憶體的需求所做的準備。不過，這項技術屬於未來技術，實際應用仍需一段時間。

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OpenAI 成大買家！DDR4、DDR5、NAND Flash 和 HDD 同步缺貨，威剛董座直呼很頭痛
作者 |發布日期 2025 年 10 月 18 日 8:00 |
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分類 AI 人工智慧 , OpenAI , 半導體

根據《財訊》雙週刊報導，記憶體產業掀起前所未見的缺貨潮，讓記憶體模組廠威剛董事長陳立白直呼，這次從來沒有過的經驗，威剛 4 大產品線包括 DDR4、DDR5、NAND Flash 以及 HDD（硬碟）首度全都面臨缺貨，雖然手上還有百億元的庫存，但進入 10 月之後只能踩煞車惜售，這一波缺貨到很頭痛，因為搶貨的對手不是同行，都是實力雄厚的 CSP 業者，連 OpenAI 也變成了大買家。

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