價格戰開打!傳三星犧牲 HBM4 利潤空間,只願打入 NVIDIA 供應鏈 作者 林 妤柔|發布日期 2025 年 09 月 05 日 8:58 | 分類 AI 人工智慧 , Samsung , 記憶體 | edit 市場消息傳出,三星正全力爭取 NVIDIA 的信任,投入下一代 HBM4 製程,目前已經在量產樣品階段,並打算犧牲利潤,以跟 SK 海力士、美光競爭。 繼續閱讀..
SK 海力士導入記憶體產業首套 High NA EUV 曝光機 作者 Atkinson|發布日期 2025 年 09 月 03 日 10:20 | 分類 半導體 , 材料、設備 , 記憶體 | edit 韓國記憶體大廠 SK 海力士 3 日宣布,已將記憶體業界首套量產型高數值孔徑極紫外曝光機(High NA EUV)引進韓國利川 M16 工廠,並舉行設備入廠慶祝儀式。 繼續閱讀..
川普取消台積電中國南京廠豁免,經濟部:不影響整體產業競爭力 作者 Atkinson|發布日期 2025 年 09 月 03 日 10:15 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片 | edit 針對美方終止台積電南京廠的「經驗證終端用戶」(VEU)資格,改為逐案申請許可,經濟部評估不影響整體產業競爭力,並將持續關注。 繼續閱讀..
三星、SK 海力士中國廠難獲得美國技術,投行:恐衝擊全球記憶體供應 作者 林 妤柔|發布日期 2025 年 09 月 02 日 17:25 | 分類 半導體 , 國際貿易 , 記憶體 | edit 市場消息傳出,川普政府打算取消目前在中國工廠運送美國晶片製造設備、無需每次申請單獨許可證的豁免權。換言之,這可能讓三星、SK 海力士更難將關鍵設備運往中國工廠,這也使兩間公司股價在週一(1 日)面臨雙雙下跌的困境。 繼續閱讀..
韓國頭大!美國撤銷三星與 SK 海力士中國廠購買美商設備許可 作者 Atkinson|發布日期 2025 年 08 月 30 日 11:00 | 分類 Samsung , 半導體 , 國際貿易 | edit 路透社報導,美國商務部日前宣布撤銷部分許可,使得在中國營運的韓國廠商,包括三星(Samsung)和 SK 海力士(SK Hynix)等記憶體製造商因無法取得更先進製造設備,更難以在當地生產先進記憶體,這動作也勢必將對全球半導體供應鏈產生影響。 繼續閱讀..
散熱提升 3.5 倍,SK 海力士推業界首款高效散熱行動 DRAM 作者 Atkinson|發布日期 2025 年 08 月 28 日 14:50 | 分類 半導體 , 記憶體 | edit 韓國記憶體大廠 SK 海力士宣布,開發完成並開始供應業界使用的首款採用 High-K EMC 材料高效散熱移動 DRAM 產品。 繼續閱讀..
2Q25 NAND Flash 營收季增逾 20%,SK 集團市占大躍進至 21% 作者 TechNews|發布日期 2025 年 08 月 28 日 14:37 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 國際貿易 | edit TrendForce 最新調查,第二季 NAND Flash 產業雖面臨平均銷售價格(ASP)小幅下滑,所幸原廠減產改善供需失衡,加乘美中兩大市場政策推動,整體出貨位元大幅成長,前五大品牌廠合計營收季增 22%,達 146.7 億美元。 繼續閱讀..
SK 海力士壓力山大 三星 HBM4 傳獲輝達驗證通過 作者 MoneyDJ|發布日期 2025 年 08 月 21 日 13:15 | 分類 Samsung , 半導體 , 記憶體 | edit 韓媒傳出,三星電子(Samsung Electronics)的第六代高頻寬記憶體「HBM4」樣本已獲得輝達(Nvidia Corp.)驗證通過,預計 8 月底便可進入最終的預生產(pre-production,PP)階段,若測試順利,則最快今年底便能開始量產。 繼續閱讀..
多年 DRAM 霸主地位遭 SK 海力士終結,三星市占率創史上最大跌幅 作者 林 妤柔|發布日期 2025 年 08 月 18 日 15:16 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 手機 | edit SK 海力士近期成功取代三星,成為全球最大 DRAM 製造商,這主要歸功於該公司拿下 NVIDIA 等決定性 HBM 客戶。至於三星,則失去長期 DRAM 霸主地位,且今年市占率創史上最大跌幅。 繼續閱讀..
長鑫存儲積極擴大 HBM 產線,滿足中國無法取得國外產品需求 作者 Atkinson|發布日期 2025 年 08 月 14 日 10:10 | 分類 中國觀察 , 半導體 , 記憶體 | edit 外媒報導,受美國制裁影響,中國難取得 AI 用高頻寬記憶體 (HBM),使 AI 發展也受阻。一度停滯的長鑫存儲科技 (CXMT) 大規模設備投資也因此已經重啟。重啟原因,是長鑫存儲計劃引進大量新設備擴大產能,量產最新 DRAM DDR5,並在此基礎上開發 HBM3 高頻寬記憶體產品。 繼續閱讀..
美光上調單季營收表現原因,漲價都無法停止市場 HBM 需求成長 作者 Atkinson|發布日期 2025 年 08 月 12 日 14:10 | 分類 半導體 , 記憶體 , 財報 | edit 記憶體大廠美光(Micron)11 日宣布,上調第四季營收和獲利預期,主因是人工智慧(AI)基礎設施記憶體晶片需求持續成長。消息一出,美光股價早盤上漲約 3%,顯示投資者普遍認為美光成功搭上 AI 熱潮順風車。 繼續閱讀..
EUV 應用再升級,SK 海力士 1c DRAM 進展第六層 作者 蘇 子芸|發布日期 2025 年 08 月 12 日 11:40 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體 | edit SK 海力士正加速推進 1c(第六代 10 奈米級)DRAM 技術,計劃將 EUV 曝光層數提升至第六層,再提升產品性能與良率。 繼續閱讀..
美韓峰會在即 韓媒:三星、SK 海力士趕工投資案 作者 MoneyDJ|發布日期 2025 年 08 月 11 日 11:15 | 分類 半導體 , 國際貿易 , 晶圓 | edit 韓媒傳出,就在美韓預定 8 月 25 日舉行高峰會、AI 晶片成為重要議程之際,三星電子(Samsung Electronics)、SK 海力士(SK hynix)正在加緊完成額外的赴美投資計畫。 繼續閱讀..
SK 海力士高層樂喊:HBM 市場將以每年 30% 速度成長 作者 MoneyDJ|發布日期 2025 年 08 月 11 日 8:25 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 國際貿易 | edit 韓國半導體巨頭 SK海力士(SK hynix)日前揭曉最新財報,受惠 HBM 龍頭地位穩固,大吃 AI 商機,上季營收獲利雙創新高。SK 海力士高層近日再釋出樂觀訊息,強調「AI 訂單只會越來越多」,2030 年前可望保持高速成長。 繼續閱讀..
SanDisk、SK 海力士制定 HBF 標準,開拓 AI 記憶體新布局 作者 蘇 子芸|發布日期 2025 年 08 月 08 日 12:30 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體 | edit SanDisk 與 SK 海力士宣布簽署合作備忘錄(MOU),雙方共同制定「高頻寬快閃記憶體」(High Bandwidth Flash,HBF)技術規範,並推動標準化,為記憶體市場注入新變數。 繼續閱讀..