韓國媒體報導表示,三星半導體研究所完成突破性 400 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體開發。11 月開始將技術轉移到平澤園區一號工廠產線。重要的里程碑使三星處於 NAND Flash 領先位置,超過開始量產 321 層堆疊 NAND Flash 的 SK 海力士。
三星完成 400 層堆疊 NAND Flash,最快 2025 年第二季量產 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 12 月 09 日 13:45 | 分類 Samsung , 半導體 , 記憶體 |



