SK 海力士崔泰源承諾提高 HBM 產量，以應付 AI 需求激增與拉開對手差距 |
作者
TechNews 編輯台|發布日期
2026 年 02 月 23 日 16:45 |
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華盛頓第五屆跨太平洋對話會議，SK 海力士執行長崔泰源 20 日承諾大幅提高高頻寬記憶體（HBM）產量，以應付全球資料中心需求。崔泰源形容 HBM 為「怪獸晶片」，對人工智慧產業非常重要。 繼續閱讀..
三星重奪全球 DRAM 市場霸主地位，都是 HBM4 的功勞 |
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作者
TechNews 編輯台|發布日期
2026 年 02 月 22 日 13:45 |
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三星電子 22 日宣布成功重奪全球 DRAM 市場第一名，是 2024 年第四季以來首次回歸王者寶座。市場調查機構 Omdia 報告，三星 2025 年第四季 DRAM 市佔率達 36.6%，SK 海力士以 32.9% 屈居第二，主要得益於三星第六代高頻寬記憶體 HBM4 的銷售增長。 繼續閱讀..
記憶體市場末日推動三大原廠增產，消費性記憶體卻要到 2028 年才見曙光 |
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作者
Atkinson|發布日期
2026 年 02 月 12 日 14:00 |
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全球電腦硬體市場正面臨一場被業界稱為 「記憶體末日」（RAMpocalypse） 的嚴峻挑戰。儘管全球三大記憶體製造商，包括美光（Micron）、SK 海力士（SK Hynix）和三星（Samsung）均已啟動大規模的新廠建設計畫。但根據外媒引述 IEEE Spectrum 的最新分析指出，這些擴產動作主要受到人工智慧（AI）需求的驅動，對於一般消費者引頸期盼的電腦記憶體（DRAM）價格回穩，恐怕要等到 2028 年甚至更久之後才能看見曙光。
SK 海力士進攻 AIP 製程，挑戰 300 層以上 NAND 製造瓶頸 |
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作者
蘇 子芸|發布日期
2026 年 02 月 12 日 11:21 |
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根據韓媒報導，SK海力士正開發名為 AIP（All-In-Plug） 的次世代製程技術，目標是在實現 300 層以上高堆疊 NAND 的同時，大幅降低製造成本。 繼續閱讀..
輝達 Vera Rubin VL72 機架式解決方案 HBM4 由 SK 海力士與三星瓜分，美光遭排除 |
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作者
Atkinson|發布日期
2026 年 02 月 09 日 18:30 |
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輝達（NVIDIA）即將推出的次世代 AI 系統「Vera Rubin」，再次攪動了全球記憶體供應鏈的布局。根據 TechPowerUp 的報導，即將於 2026 年夏末出貨的旗艦級 VR200 NVL72 機架式解決方案，在關鍵的 HBM4（第四代高頻寬記憶體）供應商選擇上出現了重大變動。原先備受期待的美光科技（Micron）未能在此輪競爭中取得 HBM4 的認證，該領域的供應將由 SK 海力士（SK hynix）與三星電子（Samsung）瓜分。然而，這並不代表美光完全退出了 NVIDIA 的新一代生態系，雙方的合作重心已轉移至處理器（CPU）端的記憶體解決方案。
SK 海力士加速 HBM4 量產布局，因應輝達 Vera Rubin 供貨需求 |
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作者
蘇 子芸|發布日期
2026 年 02 月 04 日 16:53 |
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根據韓國媒體報導，SK 海力士 正加速推進第六代 HBM4 量產計畫，因應輝達次世代 AI 加速器「Vera Rubin」即將到來的供貨需求。隨著雙方針對 HBM4 的品質驗證進入收尾階段，SK 海力士同步啟動 10 奈米級第五代（1b）DRAM 的量產準備，強化後續放量出貨能力。 繼續閱讀..
