Tag Archives: SK 海力士

黃崇仁 : 年底市場不確定性解除，晉華案則是美國斷了中國 DRAM 發展
作者 |發布日期 2018 年 11 月 27 日 18:10 |
line share
Linkedin share
line share
分類 國際貿易 , 晶片 , 會員專區

力晶集團董事長黃崇仁表示，目前產業的不確定性將在 2018 年底 G20 高峰會後落底。全世界的產業將會根據 G20 所達成的共識做為目標，進行相關調整。因此，2019 年的景氣預計第 1 季將是谷底，之後逐漸回溫。至於，美國針對中國記憶體大廠福建晉華的制裁案，則是明確向中國表示，「就是不讓你發展 DRAM 產業」，未來福建晉華確定很難在 DRAM 繼續下去，且 DRAM 產業的景氣，也會因為福建晉華無法發展 DRAM 之後，2019 年逐步回復之前缺貨的狀況。

繼續閱讀..

G20 前夕中國加速三大 DRAM 廠反壟斷調查，背後有兩手策略
作者 |發布日期 2018 年 11 月 22 日 8:00 |
line share
Linkedin share
line share
分類 中國觀察 , 晶片 , 記憶體

中美貿易戰越演越烈，11 月初美國對聯電與晉華提告涉嫌竊取美光營業祕密；16 日中國政府開砲反擊，國家市場監督管理總局反壟斷局局長吳振國表示：「針對三星、SK 海力士、美光等 3 間公司的反壟斷調查，已取得重要進展。」受到消息面影響，19 日美光股價重挫 6.62%。 繼續閱讀..

中國對 DRAM 三大廠反壟斷調查結束，也掌握對美貿易戰談判籌碼
作者 |發布日期 2018 年 11 月 16 日 14:45 |
line share
Linkedin share
line share
分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體

中國目前是全球最大記憶體消費國，2017 年總計進口了價值 889.2 億美元的記憶體晶片，相比 2016 年大漲接近 40% 的情況下，之前記憶體價格瘋漲，尤其 DRAM 只漲不跌，中國相關反壟斷單位在 2018 年中開始調查全球三大 DRAM 供應商──南韓三星、SK 海力士及美國美光。相關調查已告一段落，並獲得重大進展，將在之後公布。

繼續閱讀..

全球首款！SK 海力士成功研發 96 層 4D NAND，年內量產
作者 |發布日期 2018 年 11 月 05 日 13:00 |
line share
Linkedin share
line share
分類 晶片 , 記憶體 , 零組件

韓聯社、東亞日報日文版報導，南韓半導體大廠 SK 海力士（SK Hynix Inc.）於 4 日宣布，已成功研發出較現行 3D 架構 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）進一步進化的「4D NAND Flash」產品。SK 海力士表示，現行大多數廠商都在 3D NAND 上採用 CTF（Charge Trap Flash，電荷儲存式快閃記憶體），而 SK 海力士則是在 CTF 架構上追加「PUC（Peri Under Cell）」技術，研發出全球首款堆疊 96 層的 512Gb 3bit/cell（Triple Level Cel，TLC）4D NAND Flash 產品。 繼續閱讀..

SK 海力士 Q3 營收創歷史新高，獲利讚
作者 |發布日期 2018 年 10 月 25 日 13:40 |
line share
Linkedin share
line share
分類 晶片 , 財報 , 財經

南韓晶片廠商 SK 海力士（SK Hynix Inc.）10 月 25 日公布 2018 年第三季（Q3）財報：營收年增 41%（季增 10%）至 11.417 兆韓圜，創歷史新高；營益年增 73%（季增 16%）至 6.472 兆韓圜；營益率年增 11 個百分點（季增 3 個百分點）至 57%；純益年增 54%（季增 8%）至 4.692 兆韓圜。 繼續閱讀..