2014 年全球半導體業前 10 強，聯發科入列 |
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MoneyDJ|發布日期
2015 年 04 月 21 日 17:45 |
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根據研調機構 IHS 統計，2014 年全球半導體產值 3,545 億美元、年增 9.2%，為近年成長幅度最大的一次；其中，就個別廠商來看，聯發科受惠於合併晨星效益發揮，年營收跳增至 70.2 億美元、年增 53.1%，排名也一舉從前年度的 15 名躍升至去年的 10 名，順利躋身全球前十大半導體廠商之列。 繼續閱讀..
DRAM 市場大者恆大，三星與海力士首破 7 成市佔率 |
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MoneyDJ|發布日期
2015 年 02 月 12 日 10:35 |
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DRAM 市場大者恆大、弱肉強食趨勢持續推展，最新數據顯示，韓廠三星、SK 海力士市佔率合計首度突破 7 成。DRAM 產業比的是規模經濟，產量愈大、成本愈低，在韓廠三分天下已得其二的狀況下，不僅小廠將更難生存，排名第三的美光再不加把勁，難保不會有邊緣化的風險。 繼續閱讀..
突破細微化極限，東芝與 Hynix 攜手研發奈米壓印技術 |
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MoneyDJ|發布日期
2015 年 02 月 06 日 9:50 |
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全球第 2 大 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）廠商東芝（Toshiba）5 日發布新聞稿宣布，為加快次世代半導體露光技術「奈米壓印技術（Nano-imprint Lithography；NIL）」的研發腳步，已和南韓半導體大廠SK 海力士（SK Hynix）正式簽署契約，雙方技術人員將自 2015 年 4 月起透過東芝橫濱事業所攜手研發 NIL 製程的關鍵技術，目標為在 2017 年實用化。
SK 海力士捧高額和解金，與東芝就 Nand 侵權和解並擴大合作 |
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MoneyDJ|發布日期
2014 年 12 月 22 日 11:29 |
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全球第 2 大 NAND 型快閃記憶體（Flash Memory）廠商東芝（Toshiba）19 日於日股盤後發布新聞稿宣布，已和南韓半導體大廠 SK 海力士（SK Hynix）就 NAND Flash 侵權案一事達成和解，Hynix 同意支付東芝 2.78 億美元（約 330 億日圓）和解金。 繼續閱讀..
韓媒：韓廠系統半導體欠優勢、將專注記憶體衝獲利 |
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MoneyDJ|發布日期
2014 年 10 月 21 日 14:20 |
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台海兩岸廠商砸錢發展半導體，據稱韓商在半導體業務中，將專注發展記憶體強項，鞏固市場領先地位、提升利潤，不會積極搶進系統半導體市場。 繼續閱讀..
DRAM 翻身！韓媒：SK 海力士營益暴衝、有望破新高 |
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MoneyDJ|發布日期
2014 年 10 月 13 日 15:00 |
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DRAM 記憶體揮別慘業年代，韓廠 SK 海力士（SK Hynix）今年營益有望衝上創社以來新高，突破 4 兆韓圜大關。 繼續閱讀..
龍頭地位穩！三星 NAND flash 市佔增、吃下近半江山 |
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MoneyDJ|發布日期
2014 年 10 月 13 日 13:48 |
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韓廠在全球 NAND flash市佔日益擴大，IHS iSuppli 統計顯示，今年第 2 季（4-6 月）三星電子（Samsung Electronics）和 SK 海力士（SK hynix）市佔率雙雙提高，分居第 1 和第 4 名。 繼續閱讀..
全球首見！3-bit NAND flash 由平面走向 3D、三星量產 |
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MoneyDJ|發布日期
2014 年 10 月 09 日 14:19 |
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三星電子（Samsung Electronics）9 日宣布量產業界首見的 3-bit 3D 記憶體 NAND flash 晶片，可用於 SSD 硬碟，提升儲存效率。 繼續閱讀..
傳三星砸錢建新廠、為配合南韓當局作秀？ |
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MoneyDJ|發布日期
2014 年 10 月 08 日 13:48 |
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三星電子（Samsung Electronics）豪擲 15.6 兆韓圜蓋晶片新廠，引發台廠緊張，擔心三星積極擴產搶市。不過部份分析師認為，該公司可能是為了配合政府政策，才宣布增加投資。三星高層也透露，將避免生產供過於求影響獲利。 繼續閱讀..
DRAM 戰製程！海力士 25 奈米比重年底拚 70% 美光急追 |
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MoneyDJ|發布日期
2014 年 09 月 15 日 13:30 |
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南韓 DRAM 大廠海力士（SK Hynix）據傳擬拉升 25 奈米製程的 DRAM 產量比重，似乎希望藉此縮短與三星電子（Samsung Electronics）之間的技術差距。 繼續閱讀..
SK 海力士發表業界最快 4 倍速行動 DRAM 晶片 |
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MoneyDJ|發布日期
2014 年 09 月 03 日 16:24 |
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南韓第二大記憶體廠 SK 海力士（SK Hynix）今（3）日發表業界最快行動式 DRAM 晶片，號稱傳輸速度為市面低功耗 DDR4（LPDDR4）的四倍快，預計明年即可進入量產。 繼續閱讀..
海力士重整佈局三大事業群，全力扶植 NAND 快閃記憶體 |
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MoneyDJ|發布日期
2014 年 08 月 20 日 13:53 |
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南韓第二大記憶體廠 SK 海力士（SK Hynix）宣布組織重整，未來將區分為 DRAM、NAND Flash（快閃記憶體）與影像感測器（CMOS Image Sensor，簡稱 CIS）等三大事業群，藉以加速決策、強化各事業群戰力，特別是 NAND Flash 業務。 繼續閱讀..
三星、東芝競擴產，NAND Flash 報價今年恐跌三成 |
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MoneyDJ|發布日期
2014 年 08 月 11 日 11:32 |
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全球 NAND Flash（儲存型快閃記憶體）供給成長持續大於需求，預估 NAND Flash 今年底報價將較去年跌掉三成，且跌勢恐將一直延續至 2018 年。 繼續閱讀..
