三星量產 TSV DDR4 模組!速度快一倍、用電省一半

作者 | 發布日期 2014 年 08 月 27 日 15:30 | 分類 Samsung , 晶片
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DDR4 時代逐漸來臨!三星電子(Samsung Electronics)27 日宣布開始量產業界首見的直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via,TSV)封裝的 DDR4 模組,速度較前代快上一倍,用電量卻只要一半。




韓聯社報導,三星公關主管 Kim Ki-hoon 表示,TSV 技術能直接傳送數據,可大幅提升效率。新推出的 DDR4 為 64GB,供伺服器使用,由 36 個四層晶片組成,每個晶片內含 4 個 4 gigabit DRAM。三星表示,TSV 技術還能堆疊更多晶片,模組容量可大於 64GB。

三星稱量產 TSV DRAM 模組可讓該公司稱霸高階 DDR4 DRAM 市場,也能為今年下半推出的次世代中央處理器,提供高效解決方案,該公司將於下半年生產 64GB 以上的高階 DDR4 模組。三星估計,今年全球 DRAM 市場達 386 億美元,其中伺服器需求約佔 20%,預估雲端運算盛行會帶動高階 DRAM 需求。

Tech 2 網站 13 日報導,英特爾(Intel)X99 平台預料會在 9 月的英特爾開發者論壇亮相,會場發表的 8 核心桌電處理器 Haswell-E 和 X99 平台都可能會採用 DDR4 記憶體。Techgage 報導,DDR4 價格高昂,以 Crucial 的 DDR4 模組為例,價格較 DDR3 高出 60% 以上。

ValueWalk 20 日公佈 Capital Cube 分析師 Veibha Subramaniam 報告,當前市面智慧手機使用的 DRAM 多為 DDR3 晶片。三星、美光、SK 海力士佈局次世代科技,均開始量產 20 奈米製程的 DDR4 晶片,以便用於新 iPhone 和 Android 智慧手機。華亞科將於今年底量產 DDR4 晶片,南科可因持有華亞科股權受惠。

(MoneyDJ新聞 記者 陳苓 報導) 

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