DDR4 時代逐漸來臨！三星電子（Samsung Electronics）27 日宣布開始量產業界首見的直通矽晶穿孔（Through-Silicon Via，TSV）封裝的 DDR4 模組，速度較前代快上一倍，用電量卻只要一半。
韓聯社報導，三星公關主管 Kim Ki-hoon 表示，TSV 技術能直接傳送數據，可大幅提升效率。新推出的 DDR4 為 64GB，供伺服器使用，由 36 個四層晶片組成，每個晶片內含 4 個 4 gigabit DRAM。三星表示，TSV 技術還能堆疊更多晶片，模組容量可大於 64GB。
三星稱量產 TSV DRAM 模組可讓該公司稱霸高階 DDR4 DRAM 市場，也能為今年下半推出的次世代中央處理器，提供高效解決方案，該公司將於下半年生產 64GB 以上的高階 DDR4 模組。三星估計，今年全球 DRAM 市場達 386 億美元，其中伺服器需求約佔 20%，預估雲端運算盛行會帶動高階 DRAM 需求。
Tech 2 網站 13 日報導，英特爾（Intel）X99 平台預料會在 9 月的英特爾開發者論壇亮相，會場發表的 8 核心桌電處理器 Haswell-E 和 X99 平台都可能會採用 DDR4 記憶體。Techgage 報導，DDR4 價格高昂，以 Crucial 的 DDR4 模組為例，價格較 DDR3 高出 60% 以上。
ValueWalk 20 日公佈 Capital Cube 分析師 Veibha Subramaniam 報告，當前市面智慧手機使用的 DRAM 多為 DDR3 晶片。三星、美光、SK 海力士佈局次世代科技，均開始量產 20 奈米製程的 DDR4 晶片，以便用於新 iPhone 和 Android 智慧手機。華亞科將於今年底量產 DDR4 晶片，南科可因持有華亞科股權受惠。
（MoneyDJ新聞 記者 陳苓 報導）
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