三星西安廠 3D NAND 晶片量產一度停擺,不致影響市場價格

作者 | 發布日期 2015 年 01 月 27 日 17:19 | 分類 晶片
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日前韓國媒體 Digital daily 報導了三星電子(Samsung Electronics)在中國西安負責產製 3D NAND Flash 廠區,傳出產線一度全面中斷的消息,韓國媒體表示有多達 3 萬片晶圓悉數報廢,預估損失金額為 6,000 萬美元。不過,根據科技新報(TechNews)從韓國方面獲得的了解,三星 NAND 廠這件事情大約是發生在 2014 年 12 月份,並不是報紙刊登報導的 2015 年 1 月份,而且只有大約一千片晶圓損毀報廢,並沒有媒體傳言的三萬片那樣多。



對現階段 NAND 市場價格沒有影響

三星方面目前認為這個事件並不嚴重,這個消息其實已經上個月的事情,加上 3D NAND 在 2014 年底的投片量本來就不多這項因素,因此對整體 NAND 市場的影響還算是小。該公司量產 3D NAND 快閃記憶體晶片的時程和進度依舊持續。以此晶圓廠良率事件來看,主要是材料方面造成的良率問題,和晶片設計沒有直接的關係。

三星方面在 2014 年 12 月底到 2015 年 1 月的期間,已經將這個問題修復完畢,被影響的產能,最多大約有五千片左右,後續的生產都已經恢復正常。重點是對目前三星的 19 奈米、16 奈米製程的進展也不會有影響,三星方面仍舊是預定在 2015 年第一季達到每月有三萬片上下的 3D NAND 晶片產能。

 

3D NAND 晶片是未來快閃記憶體要角

製作 3D NAND 晶片需要更先進的技術,這是為了要避免在 20 奈米以下,垂直結構狀態中,每個單元的電子數量和資料儲存、刪除的行為,會變得比傳統 NAND 晶片更不可預測,需要更好的控制才行。

另一方面,3D NAND 晶片在中國也有美國廠商 SPANSION 和武漢新芯在合作設廠中,而美國大廠美光(Micron)、日本大廠東芝(Toshiba)也積極在進軍 3D NAND 晶片,究竟它可以用來做哪些應用呢?

目前最主要的是高階的 SSD 固態硬碟,提供給雲端運算、快速資料的商用儲存需求之用,這種技術產製的快閃記憶體晶片,單顆就有 128 Gb 的容量,但成本比一般的 2D NAND 晶片要高出不少,良率也還在提昇中。對於一般的隨身碟、快閃記憶卡來說,還不會用到這種相對成本高的快閃記憶體晶片。不過,等過了兩、三年後,3D NAND 晶片的使用率與產量,將有顯著的提升,屆時市場的風貌又會不太一樣了。

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