SK 海力士砸 382 億美元建半導體廠，盤中跳漲 7%

南韓半導體大廠 SK 海力士 25 日宣布，已提撥 46 兆韓圜（382 億美元）的預算，計劃在未來十年內投資於三座新半導體廠房，一方面是鞏固市佔率，另一方面也響應政府提振南韓景氣。

海力士 M14 廠最近才剛落成，海力士打算再加碼投資該廠房 15 兆韓圜，藉以提升記憶體晶片產出。至於剩下的 31 兆韓圜，海力士打算用來再加蓋兩座新廠。（Koreaheald.com）

受消息利多激勵，海力士股價一掃 24 日破底陰霾，25 日盤中一度跳漲逾 7 個百分點。

不過目前 DRAM 價格因市場競爭激烈而搖搖欲墜，部分產業觀察家擔心海力士大規模擴充產能，DRAM 供給過剩風險將更為嚴重，可能使得 DRAM 價格進一步走跌。

TrendForce 旗下記憶儲存事業處 DRAMeXchange 的報告指出，上季三星全球行動 DRAM 市佔率季增 5.5 個百分點至 57.6%，穩居龍頭位置，位居第二的 SK 海力士也季增 1.0 個百分點至 23.9%。另外，美光（Micron）大幅下滑 6.1 個百分點至 16.5%。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載）

延伸閱讀：

• 記憶體晶片商 SK Hynix 擬砸 390 億美元蓋新廠
• 全球行動式記憶體價格相對抗跌，第二季總產值持續攀升 7.7%