SK 海力士砸 382 億美元建半導體廠,盤中跳漲 7%

作者 | 發布日期 2015 年 08 月 25 日 12:30 | 分類 晶片 , 零組件 follow us in feedly

南韓半導體大廠 SK 海力士 25 日宣布,已提撥 46 兆韓圜(382 億美元)的預算,計劃在未來十年內投資於三座新半導體廠房,一方面是鞏固市佔率,另一方面也響應政府提振南韓景氣。




海力士 M14 廠最近才剛落成,海力士打算再加碼投資該廠房 15 兆韓圜,藉以提升記憶體晶片產出。至於剩下的 31 兆韓圜,海力士打算用來再加蓋兩座新廠。(Koreaheald.com)

受消息利多激勵,海力士股價一掃 24 日破底陰霾,25 日盤中一度跳漲逾 7 個百分點。

不過目前 DRAM 價格因市場競爭激烈而搖搖欲墜,部分產業觀察家擔心海力士大規模擴充產能,DRAM 供給過剩風險將更為嚴重,可能使得 DRAM 價格進一步走跌。

TrendForce 旗下記憶儲存事業處 DRAMeXchange 的報告指出,上季三星全球行動 DRAM 市佔率季增 5.5 個百分點至 57.6%,穩居龍頭位置,位居第二的 SK 海力士也季增 1.0 個百分點至 23.9%。另外,美光(Micron)大幅下滑 6.1 個百分點至 16.5%。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載)

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