Intel 力推嵌入式 DRAM,力拚三星、SK 海力士

作者 | 發布日期 2015 年 09 月 01 日 13:00 | 分類 晶片 , 零組件 follow us in feedly
Flickr/Dick Thomas Johnson

英特爾(Intel)半導體龍頭地位搖搖欲墜,與三星電子差距日益縮小,英特爾似乎下決心要扳倒後進,據稱打算力推嵌入式 DRAM(eDRAM),減少對 DRAM 的依賴,讓 DRAM 記憶體大廠三星和 SK 海力士狂冒冷汗。



韓媒 BusinessKorea 1 日報導,當前 DRAM 市場由三星和 SK 海力士稱霸,據傳英特爾想削弱對手,第六代 Skylake CPU 配備 eDRAM,提高圖形運算效能。eDRAM 和 DRAM 不同之處在於,eDRAM 內建在 CPU die 內,DRAM 則和 CPU 各自獨立。業界分析師稱,英特爾先前的 Haswell 和 Broadwell 晶片已內建 eDRAM,原本是實驗性質,如今已成為核心策略。日本和美國的半導體雜誌也說,中長期而言,英特爾或許會整合 CPU 和 DRAM,發展 eDRAM。

報導稱,英特爾作法仿效蘋果,蘋果 A 系列處理器效能極為穩定,數據和圖形處理速度都快過 Android 機種。A 系列晶片 DRAM 小於 Android 機,卻因採用高效能 SRAM 和 CPU 有突出表現。和 SRAM 相比,eDRAM 的優勢在生產成本較低,容量較大。與此同時,英特爾的 3D XPoint 技術也可能重創 DRAM,美國業者獨霸個人電腦和伺服器 CPU,可能會藉此推展新技術,如果 3D XPoint 用於伺服器、電腦、行動裝置,未來可能成為業界主流,逼走 DRAM。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:Flickr/Dick Thomas Johnson CC BY 2.0)

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