三星 14 奈米 NAND 傳 2016 上半年量產

作者 | 發布日期 2015 年 12 月 29 日 16:40 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件 follow us in feedly

誰說 14 奈米的快閃記憶體不可行?南韓兩家記憶體廠前仆後繼挑戰這項不可能的任務有成,其中三星已經準備好轉入量產,而 SK 海力士預計 2016 年也將突破瓶頸。



南韓媒體 ETnews 引述業內消息報導指出,三星預計 2016 年上半年開始量產 14 奈米 NAND 快閃記憶體,且 1 月底在舊金山舉行的國際固態電路論壇(ISSCC)上就有成品可先行展出。

與 16 奈米相比,14 奈米浮動閘極(floating gate)面積減少 12.5%,這意謂著每片晶圓的記憶體晶片產出將增加,而平均生產成本則降低,使得產品更具價格競爭力。除了三星之外,海力士從年初時也下決心著手開發 14 奈米技術,研發工作預估將在明年上半年完成,年末應可順利進入量產。

快閃記憶體是將電子包入浮動閘極,藉以此永久儲存資訊。業界原認為 15~16 奈米是記憶體維縮極限的原因在於,浮動閘極面積會隨維縮製程縮小,面積太小則將導致電子儲存空間不足。不過,三星似乎已想到方法克服這項障礙。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:Flickr/Kevin Krejci CC BY 2.0) 

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