搶三星訂單,SK 海力士 HBM2 DRAM 拚 Q3 量產

作者 | 發布日期 2016 年 03 月 08 日 8:45 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件 follow us in feedly

德國科技網站 Golem.de 報導,SK 海力士的第二代 4GB 堆疊超寬頻記憶體(HBM2 DRAM)將在第三季進入量產,隨後 8GB HBM2 DRAM 也將在第四季量產,爭搶 Nvidia 與超微高階顯卡記憶體訂單的意圖明顯。



三星 4GB HBM2 記憶體雖然已早先一步進入量產,但海力士亦步亦趨,反倒有更多時間觀察市場接受度。海力士代在受訪時表示,超微 Polaris 與 Nvidia 新一代 Pascal 繪圖晶片都採三星 HBM2 DRAM,也是海力士搶奪的目標,充分展現後發先至的企圖心。

HBM2 記憶體傳輸頻寬達每秒 256GB,是第一代 HBM 晶片的兩倍,更能滿足 4K 解析度螢幕對高頻寬記憶體的需求。除此之外,HBM 還有較省電的的優點。

隨著 4K 顯示技術日益成熟,4K 螢幕的應用將更普及,對高效能記憶體的需求只會有增無減,無論三星或是海力士都將受惠。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:SK 海力士) 

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