三星悄瘦身,今年連 DRAM、NAND Flash 投資恐都砍半!

作者 | 發布日期 2016 年 03 月 18 日 11:13 | 分類 Samsung , 晶片 follow us in feedly

全球景氣不甚明朗,據近來韓媒報導,韓國商業巨擘三星似乎開始調整腳步,先前才有韓媒指出,三星旗下事業正在加速大規模的重組,員工人數銳減、研發費用與研發中心投入的規模,也來到金融海嘯以來的低點。17 日韓國時報(The Korea Times)再引用外資報告指出,三星今年 DRAM、NAND Flash 投資金額都將對半砍,相較幾個 NAND Flash 廠商加大投資,產業是否出現消長同樣值得關注。



韓國時報 17 日引述外資 RBC Capital Markets 報告指出,預料三星今年在 DRAM 的投資金額將會砍半,較去年投資金額 21 美元減少 51%。過去兩年,三星在 DRAM 製程搶先轉進 20 奈米,目前三星 DRAM  20 奈米製程占比已來到 60~70%,然而,與此同時,PC 市況不佳,DRAM 價格跌了逾 50%,因此報告預估,三星在 DRAM 的投資將回到 2011 年到 2013 年的週期,略為收手。

三星、SK 海力士與美光今年在 DRAM 製程開始 1X 奈米以下的技術競逐,然報告認為,屆 10 奈米在 2017 年大幅開出,三星才會再加大投資步伐。

在近期記憶體廠商積極搶進的 NAND Flash 市場情況亦如是,該份報告分析師 Amit Daryanani 預測,在 3D NAND Flash 擴產完成後,三星在 NAND Flash 年支出也會從 61 億美元,降至 28 億美元,削減約 54%。三星在 2015 年中,在中國西安廠積極擴產,報告預估,截至 2015 年底,西安廠  NAND Flash 產能已來到 9~10 萬組,其中 48 層堆疊 3D NAND Flash 約 3 萬組、32 層約 6~7 萬組。

相較 2014、2015 年三星整體半導體資本支出超過 130 億美元,報告預估 2016 年可能縮減至 90 億美元。

各大廠仍擴產拚 3D NAND Flash 市佔

相較於三星,其他記憶體大廠還是傾向擴張,尤其加大 3D NAND Flash 的投資,不只英特爾大連廠產能移轉至 3D NAND Flash,SK 海力士在三月初也傳出投入 15.5 兆韓圜(約 4,500 億新台幣)擴充 NAND Flash 產能,並於 2019 投產,而昨 17 日,東芝才宣布三年內要投資 3,600 億日圓建廠擴產,同樣押寶 3D NAND Flash。

報告認為,在業者紛紛轉進  3D NAND Flash 下,平均銷售價格(ASP)將被拉低,甚至可能出現價格暴跌的情形,使得部分廠商陷入困境。

不只記憶體,三星各大事業體都縮手

而在整體市況不佳下,三星似乎也在調整整體營運步伐,韓國媒體 Business Korea 16 日即報導,三星包含管理階層、約聘職員在內的總員工人數在 2014 年底的 9.93 萬人,到目前的 9.69 萬人,減少了兩千多人,報導指出,這為三星繼 2008 年以來員工人數首度出現削減。

不少事業體也開始執行優退計畫,如三星電池大廠 SDI 開始對副董與經理級主管進行優退,三星物產也開始接受 20013 年 3 月以前到職的員工自願退休申請,報導同時指出,公司研發中心數量也從 2014 年的 44 座,刪減、合併成 41 座。

外界揣測,三星大動作投資縮手、瘦身,或是為接下來可能的不景氣預做準備。

(首圖來源:flickr/ETC-USC CC BY 2.0)

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