狠甩 SK 海力士、美光!三星 10 奈米 DRAM 量產,記憶體脫離 20 奈米世代

作者 | 發布日期 2016 年 04 月 06 日 13:42 | 分類 晶片 follow us in feedly
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相較於 SK 海力士、美光在 2015 年年中 20 奈米才導入量產,加速 20 奈米製程轉換,在 2016 年才要進入 18/16 奈米製程競賽的同時,早已搶先導入 20 奈米的三星,現在直接丟出 10 奈米 8 Gb DDR4 DRAM 量產的震撼彈,意圖大幅甩開對手糾纏。




三星在 5 日宣布量產 10 奈米 8 Gb DDR4 DRAM,搶先 DRAM 大廠推出 10 奈米製程產品。三星指出,新的 10 奈米 8Gb DDR4 資料傳輸率可達 3,200  Mbps,較上一代 20 奈米 8Gb DDR4 速度提升 30%;並較 20 奈米相同產品省下 10~20% 的電力,這對於高效能運算(HPC)、資料中心或大型企業網絡而言,有一定的吸引力,除了 PC 以外,三星加速搶攻 IT 設備市場的企圖明顯,10 奈米產品線涵蓋 4GB PC 模組,到 128 GB 企業用伺服器,預估年底將大量供貨。而三星也預告,今年稍晚將會推出 10 奈米製程 mobile DRAM,進入 ultra-HD 智慧手機時代。

當製程轉進 10 奈米,微縮更加不易,不過,三星這次還是用 ArF 浸潤式微影技術,還未用到被視為 10 奈米以下製程微縮關鍵的極紫外光(EUV)微影技術。不同於 NAND Flash,DRAM 一個記憶胞(cell)就有一個電晶體與電容,當製程下到 10 奈米,線寬狹小到難以直接將電容堆疊於上頭,三星利用四重曝光(quadruple patterning technology,QPT)技術,來改變 10 奈米記憶胞結構,讓電晶體與電容足以有空間做連結。

DRAM 製程轉進為什麼變得緩慢?

電容問題,成為 DRAM 轉進 10 奈米以下製程的技術難點,另一方面,記憶體大廠在先前 DRAM 大崩盤下咬牙苦撐下來,卻仍舊面臨市況持續不佳的景況,近幾年製程的提升逐漸變得緩慢,也大幅降低投資的比重,當邏輯製程已來到 14/16 奈米,記憶體製程才在 20 奈米,逐步要踏進 18/16 奈米而已,但對橫跨記憶體與晶圓代工的三星而言,即擁有掌握記憶體市場技術轉進的本錢。

三星與台積電、英特爾之間的邏輯製程競賽,已進入 10 奈米以下製程爭戰,由於記憶體製程較邏輯製程容易,台積電、三星通常都以 SRAM、DRAM 來練兵,製程的轉進先從記憶體下手,當良率提升到一定程度再導入邏輯產品。

三星在 2015 年 11 月中即發表 10 奈米 FinFET SRAM,三星在製程技術即領先記憶體群雄,現在 DRAM 製程一舉轉進 10 奈米,藉此狠甩對手的意圖不言可喻。

台積電在去年 12 月底,於供應鏈管理論壇也透露,早已成功以 7 奈米製程產出 SRAM,而且預告供應鏈夥伴可開始準備 5 奈米,接下來邏輯製程競賽同樣可期,依台積電與三星先前說法,10 奈米製程量產約在 2016 年底,英特爾第一顆 10 奈米 CPU 則延至 2017 年下半。不只記憶體製程競賽出現大變化,邏輯製程競賽同樣可期。

(首圖來源:三星官網)

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