封裝廠當心,傳三星新工法搶回蘋果 NAND 訂單

作者 | 發布日期 2016 年 04 月 19 日 13:30 | 分類 Apple , Samsung , 晶片 follow us in feedly

台灣封裝廠小心!據傳三星電子和 SK 海力士(SK Hynix)都在研發 NAND Flash 的「電磁波屏蔽」(EMI shielding)封裝技術,三星更搶回 iPhone 的 NAND Flash 訂單。




韓媒 etnews 19 日報導,三星曾是 iPhone 的 NAND Flash 供應商,兩者合約在 2012 年告終,原因是三星不願在 NAND Flash 封裝過程中加入電磁波屏蔽。如今記憶體市況惡化,三星平澤(Pyeongtaek)廠又將在 2017 年量產 3D NAND Flash,外傳三星擔心 NAND 供過於求,因此決定重回蘋果 NAND Flash 供應鏈。

報導稱,電磁波屏蔽封裝是在晶片上覆蓋超薄金屬,由於三星 NAND Flash 採用球型陣列封裝(Ball Grid Array,BGA),傳統的濺鍍(Sputtering)工法不易完全覆蓋球形底座。三星因而研發出塗布(Spray)新工法,解決此一困擾,而且成本更低,估計 2017 年開始供貨。

業界人士說,BGA 比閘型陣列封裝(Land Grid Array,LGA)更進步,晶片會更為輕薄。當前 SK 海力士找日月光進行蘋果 NAND Flash 封裝,外傳 SK 海力士也在研發類似三星的工法。

據稱今年問世的 iPhone 7,多數晶片都將有電磁波屏蔽功能,可避免晶片相互干擾,電路板能更密集排列,節省空間,好擴充電池容量。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載)

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