美光連漲 9 天飆 31%!三星傳 DRAM 縮手,NAND 下半年夯

作者 | 發布日期 2016 年 06 月 01 日 12:00 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件 follow us in feedly

北美半導體設備 BB 值連 5 個月高於 1,再加上半導體設備業龍頭廠商應用材料(Applied Materials Inc.)直指投資活動逐漸從 DRAM 轉到 NAND 型快閃記憶體,讓美國記憶體大廠美光(Micron Technology, Inc.)股價在 5 月 18 日觸底反彈,一口氣連漲 9 個交易日之多,漲勢相當驚人。




美光 5 月 31 日終場跳漲了 3.33%、收 12.72 美元,平 1 月 12 日以來收盤新高,股價帶量衝過頸線;以收盤價計算,過去 9 個交易日共計狂漲了 31.54%,從月 KD 已在 4 月低檔黃金交叉來看,過去半年來美光股價也有底部成形的味道。

barron`s.com 報導,R.W. Baird 分析師 Tristan Gerra 5 月 31 日發表研究報告指出,三星電子(Samsung Electronics Co.)可能會在 2016 年下半年把一大部分的 DRAM 產能轉移到 NAND 型快閃記憶體,同時將 18 奈米製程產能初步拉高。

Gerra 認為,下半年 NAND 的產業市況相當樂觀,主要是拜 iPhone 7 的儲存容量增加(該款智慧手機應會增添 256GB 版本)、PC 加速採納固態硬碟(SSD)之賜。他說,這會讓 NAND 定價在下半年穩定走揚。

不僅如此,雖然下半年 DRAM 均價或許每季都將下滑 10%,但美光因為採用 20 奈米製程技術,下半年的 DRAM 成本有望比上半年降低 10-15%。基於上述原因,Gerra 決定將美光的投資評等從「中立」調高至「表現優於大盤」。

TheStreet.com 5 月 20 日報導,應材在財報電話會議上指出,投資活動逐漸從 DRAM 轉到 NAND 型快閃記憶體,估計 2016 年下半年 DRAM 的資本支出會年減至少 25%,NAND 則會年增 35%。

Sterne Agee 證券發表研究報告指出,這兩個趨勢都意味著美光的毛利率長期看俏,因為 DRAM 支出下滑有望讓供需止穩,降低定價壓力,而 NAND 支出上揚就有望拉高產能利用率,逐漸推升毛利,因為 3D NAND 的毛利比其他產品還高。

Seeking Alpha 5 月 18 日報導,Bernstein 發表研究報告將美光的目標價上修 1 美元至 11 美元,指稱三星的 DRAM 供應成長正在趨緩當中。該證券預估,從 2015 年起 DRAM 出現的供給嚴重過剩景況將緩解,明年下半年料轉趨短缺。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源,達志影像)

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