南韓經濟日報（Korea Economic Daily）15 日報導，三星電子（Samsung Electronics Co.）打算在 2017 年底前擴充 3D NAND 型快閃記憶體產能，總共要斥資 25 兆韓圜，主要擴產的是位於中國西安的廠房，預定今年稍晚會於該廠新設一條 3D NAND 生產線，另外還將在南韓平澤市的廠房投入資本。雖然根據韓國時報報導，三星電子已在 15 日稍早否認上述消息，宣稱 3D NAND 的投資內容尚未敲定，但分析師似乎認為韓媒的報導內容相當可信。
barron`s.com 16 日報導，J.P. 摩根發表研究報告指出，三星應該會在今年底將 3D NAND 的月產能拉高至接近 16 萬片晶圓（西安廠 12 萬片、Line 16 廠接近 4 萬片）。三星的西安廠目前已接近產能全開，且該公司還計劃把 Line 16 廠的部分 2D NAND 產能轉換為 3D。
另外，三星也將善用 Line 17 廠在 2 樓的空間，於明年投產 3D NAND。依據上述假設，J.P. 摩根估計三星明年底的 3D NAND 月產能將攀升至 22 萬片（西安廠 12 萬片、Line 16 廠近 6 萬片、Line 17 廠近 4 萬片），等於比今年底的月產能（16 萬片）擴充 37.5%，並佔業界總體產能的 12%。
（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：shutterstock）
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