三星擬擴產 3D NAND?外資:2017 年產能將拉高近 4 成

作者 | 發布日期 2016 年 06 月 16 日 16:10 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件 follow us in feedly
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南韓經濟日報(Korea Economic Daily)15 日報導,三星電子(Samsung Electronics Co.)打算在 2017 年底前擴充 3D NAND 型快閃記憶體產能,總共要斥資 25 兆韓圜,主要擴產的是位於中國西安的廠房,預定今年稍晚會於該廠新設一條 3D NAND 生產線,另外還將在南韓平澤市的廠房投入資本。雖然根據韓國時報報導,三星電子已在 15 日稍早否認上述消息,宣稱 3D NAND 的投資內容尚未敲定,但分析師似乎認為韓媒的報導內容相當可信。



barron`s.com 16 日報導,J.P. 摩根發表研究報告指出,三星應該會在今年底將 3D NAND 的月產能拉高至接近 16 萬片晶圓(西安廠 12 萬片、Line 16 廠接近 4 萬片)。三星的西安廠目前已接近產能全開,且該公司還計劃把 Line 16 廠的部分 2D NAND 產能轉換為 3D。

另外,三星也將善用 Line 17 廠在 2 樓的空間,於明年投產 3D NAND。依據上述假設,J.P. 摩根估計三星明年底的 3D NAND 月產能將攀升至 22 萬片(西安廠 12 萬片、Line 16 廠近 6 萬片、Line 17 廠近 4 萬片),等於比今年底的月產能(16 萬片)擴充 37.5%,並佔業界總體產能的 12%。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)

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