DRAM 掰掰,次世代記憶體換 MRAM、PRAM 當家?

作者 | 發布日期 2016 年 07 月 11 日 15:20 | 分類 晶片 , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly
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DRAM 發展快到盡頭,磁性記憶體(MRAM)和相變記憶體(PRAM)是最有潛力的接班人?IBM 和三星電子最近宣稱,「自旋傳輸磁性記憶體(STT-MRAM)」的研究出現突破,有望加速走上商用之途。



韓媒 BusinessKorea 11 日報導,IBM 和三星在電機電子工程師學會(IEEE)發布研究論文宣稱,兩家公司攜手研發的 STT-MRAM 的生產技術,成功實現 10 奈秒(nanosecond)的傳輸速度和超省電架構,理論上表現超越 DRAM。

STT-MRAM 藉著改變薄膜內的電子旋轉方向、控制電流,表現效能和價格競爭力都優於 DRAM。最重要的是,DRAM 很難微縮至 10 奈米以下,STT-MRAM 則沒有此一困擾。業界人士表示,STT-MRAM 是次世代記憶體中最實際的替代方案,95% 的現行 DRAM 產設備皆可用於製造 STT-MRAM。IBM 和三星之外,SK 海力士(SK Hynix)和東芝(Toshiba)也協力研發此一技術。

除了 STT-MRAM,近來相變記憶體(PRAM)也備受矚目,英特爾的 3D Xpoint 就包含 PRAM 技術。PRMA 結合 DRAM 和 NAND Flash 優點,速度和耐用性提高 1 千倍,不過目前仍在理論階段。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載)

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