物聯網將掀晶圓代工變革?日本及三星策略大轉向

作者 | 發布日期 2016 年 08 月 25 日 17:10 | 分類 晶片 follow us in feedly
下載自路透

物聯網風潮漸起,連台積電董事長張忠謀都喊出物聯網是 「The next big thing」,不只消費電子大廠、網通設備廠商紛紛朝此布局,晶圓代工市場也可能為此發生質變?



物聯網改變的不只是消費者的生活,對產業而言,更是一場典範轉移。物聯網之下,以往製造業大量生產創造規模經濟的模式不再,取而代之的是多元化應用與少量多樣的產品特性,日本在今年 4 月推出迷你晶圓廠(Minimal Fab)強調造價低廉、小批量生產,就是瞄準物聯網感測器少量多樣的需求。

現在連三星也出現晶圓代工策略的大改變,不只是為物聯網,更是為降低對高通與蘋果等大客戶的依賴。據韓國媒體 ET News 報導,三星正在改變原本量產的晶圓代工策略,轉向小量多樣化接單,並開始接美國、韓國、中國中小型規模廠商訂單,三星稱此計畫為「開放式晶圓廠(open foundry)」。報導中指出包含如 HanaTech、AlphaChips、KoreaChips 等韓廠,以及台灣世芯(AllChip)、中國芯原(VeriSilicon)、美國加州 e-Silicon 等其他海外 IC 設計廠都是三星此次策略合作的對象。

不只接單,製程技術或也可能出現變化,FinFET 技術被視為 20 奈米以下半導體製程微縮的重要技術,不少半導體大廠將資源傾注在 FinFET,但在物聯網浪潮來臨,FD-SOI(全耗盡型絕緣層覆矽)技術也日漸受到重視。與 FinFET 相比,FD-SOI 基板雖然較貴,但在掩模數量與製造工序比 FinFET 來得少,減少部分光罩成本也縮減了製造時間,在技術上比 FinFET 更適合類比/混合訊號、RF,FD-SOI 還具備了低功耗的優勢,因此,不少人認為 FD-SOI 將是物聯網較佳選擇,或能與 FinFET 互補。

FD-SOI 由意法半導體借力與三星、IBM、格羅方德所組的 ISDA(國際半導體開發聯盟)所開發,除了掌握技術的意法半導體本身,三星以 FinFET 致力在 14 奈米、10 奈米等先進製程競逐外,也在生命週期較長的 28 奈米製程布建 FD-SOI 產能,傳出 FD-SOI 已達到黃金良率,並估計於第三季開始量產。

而格羅方德押寶 FinFET 的同時,在去年即基於 22 奈米 FD-SOI 推出「22FDX」平台,聲稱晶粒尺寸縮減 20%,光罩數目減少 10%;相較 foundry FinFET,減少近 50% 的浸潤式微影層,並強調對比 28 奈米 HKMG 功耗的大幅縮減

物聯網掀起的變革,從晶圓代工也可見端倪。

(首圖來源:達志影像)

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