SK 海力士大砸 36 億美元,加碼投資中國無錫 DRAM 廠

作者 | 發布日期 2017 年 02 月 09 日 19:17 | 分類 記憶體 follow us in feedly

中國半導體迎來擴產潮,不只中國本土廠商,全球半導體廠商也競相在中國布建生產線,而早早在中國插旗的韓國記憶體大廠 SK 海力士同樣不落人後,將在中國無錫興建新廠,總投資金額將達 36 億美元!



近日中國江蘇省委常委、無錫市委書記李小敏、無錫市長汪泉,在南京會見 SK 集團副會長暨 SK 海力士社長朴星昱一行,雙方就 SK 海力士接下來戰略發展、拓展合作領域進行會談,據無錫市政府消息,SK 海力士將在無錫啟動第二工廠建設,總投資金額達到 36 億美元。然官方並未透露進一步的計畫與詳細資訊。

依據 SK 海力士在 12 月底公布的投資計畫,可以確定的是 SK 海力士將在 2017  年 7 月先投資 9500 億韓圜(約 8.93 億美元),擴建中國無錫 C2 廠潔淨室,擴大 DRAM 產能,估計 2019 年 4 月才會完工、貢獻產能。

SK 海力士 2005 年插旗中國無錫,期間歷經 5 期重大投資建設,累計投資金額達到 105 億美元,是中國半導體、也為江蘇省投資規模最大的外商投資項目,SK 海力士無錫廠目前最高產能每月可達 13 萬片,約占 SK 海力士 DRAM 產能的一半。

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