Sony 又秀出外星科技:把 DRAM 記憶體夾入 CMOS,以後手機可拍攝 1,000fps 超慢動作效果

作者 | 發布日期 2017 年 02 月 14 日 8:30 | 分類 手機 , 晶片 , 零組件 follow us in feedly
T客邦配圖

眾所周知,Sony 在全球 CMOS 感光元件產業中佔有舉足輕重的地位,不僅市佔率居冠,其研發能力亦不容小覷,在不久前 Sony 則進一步發表了可錄製高達 1,000fps 慢動作的感光元件,未來預料為新的智慧型手機創造更多拍攝功能。



不久前 Sony 才發表了一款比米粒還小的微型感光元件,近日則進一步發表拍攝幀率可達 1,000fps 的超高速 CMOS 感光元件,可見近期 Sony 在感光元件的研發上已不侷限於傳統的畫質、感光度等需求,而是往更多面向在研發新的感光元件科技。

這款新發表的 CMOS 尺寸為手機常用的 1/2.3”,換言之,這對現有手機廠商來說很可能不需要重新設計鏡組與電路結構,它提供了 2,120 萬的有效畫素,解析度為 5,520×3,840,單就畫素數已可媲美單眼 CMOS,在動態錄影時更可提供 Full HD 畫質、高達 1,000fps 的超高幅率,遠遠超出目前市面上所有手機的規格,例如 Google Pixel 最快也僅有 240fps 的慢動作錄影模式。

這是筆者之前利用 Sony RX100 Mark IV 錄製的 960fps 影片,這樣你就可以知道 1,000fps 是什麼樣的世界了:

實際上這並非 Sony 第一次推出錄影幀率達 1,000fps 的產品,在之前推出的 RX10 Mark III 以及 RX100 Mark IV 就具備了 HFR 錄影模式,可提供高達 960fps 的超高幀率,如果用 24fps 輸出影片的話則相當於 40 倍慢速。不過這是相機使用的 1 吋 CMOS 感光元件,其畫質也非真正的 1080p,若 Sony 能將畫質更佳、幅率更高的感光元件塞入手機的 1/2.3” 尺寸,這無疑是一項驚人之舉。

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之所以能達到如此高的幀率,祕訣就在 Sony 改進了感光元件的製程,在基於「堆疊式」 CMOS 的雙層結構上做出了改進。而據我們所知,堆疊式感光元件的兩層結構由成像區域(Pixel Section)與處理迴路(Circuit Section)構成,特點是像素區域為背照式(BSI)結構,其特性是具有背照式的優點,並加強處理迴路使之兼容高速錄影的能力。

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而 Sony 所做的,就是在這兩層結構之中加入了 DRAM 記憶體,使感光元件擁有自己的暫存區,讓這塊 DRAM 單獨處理所有錄製進來的影像數據,進而達到短時間內處理大量資料的性能。這讓這塊 CMOS 僅需要 1/120 秒的時間即可輸出 19.3 MP 的影像,並且大幅改善高速快門下所產生的果凍效應。

目前 Sony 僅釋出此感光元件的技術與範例影片,仍未知是否會有手機品牌採用,單從影片看來其 Full HD 畫質很明顯比起 RX10 Mark II 與 RX100 Mark IV 要好得多,未來就看這項外星科技會搭載在哪支新手機上了。

(本文由 T客邦 授權轉載) 

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