次代記憶體大廝殺!三星發表 MRAM 要給 Note 8 用?

作者 | 發布日期 2017 年 04 月 28 日 10:00 | 分類 Samsung , 手機 , 晶片 follow us in feedly

次世代記憶體大戰開打,英特爾研發「3D cross point」技術,擬推「PRAM」。三星電子不甘示弱,發表「MRAM」(magnetoresistant random access memory,磁阻式隨機存取記憶體),號稱讀寫速度比 NAND Flash 快上一千倍。



fudzilla、IBTimes、南韓經濟日報報導,三星 24 日發表「MRAM」,此種次世代記憶體兼具 NAND Flash 和 DRAM 的優點,無須電源也能儲存資料,而且處理速度極快。三星宣稱,MRAM 是非揮發性記憶體,採用自旋傳輸科技(Spin-torque transfer)讀寫數據,速度比 NAND 快了一千倍。不僅如此,MRAM 更省電,使用時(active)耗電量比傳統記憶體少,停用時(inactive)更無需用電。

目前次世代記憶體包括 MRAM、PRAM、ReRAM,其中 MRAM 速度最快,但是量產難度較高。現在三星只能少量生產,但是預期能盡速克服生產障礙。

三星同時宣布,歐洲大廠恩智浦半導體(NXP Semiconductors)的物聯網半導體將採用 MRAM,雙方簽訂晶圓代工協定,將量產 28 奈米的全耗盡型絕緣層上矽(FD-SOI)。

IBTimes 猜測,倘若三星 MRAM 量產進展順利,或許今年下半問世的 Galaxy Note 8 就會內建 MRAM,以便做出市場區隔。MRAM 用於智慧手機可加快處理速度,並更為省電。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:三星

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