Rambus 揭露下一代記憶體速度,DDR5 與 HBM3 頻寬再翻倍

作者 | 發布日期 2017 年 12 月 11 日 8:01 | 分類 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

Intel Pentium 4 發售初期,因為市面沒有其他足以匹配 FSB 前端匯流排速度的記憶體,而選擇採用較不常見的 RDRAM 搭配,其後的主要技術來源即為 Rambus 公司。近日 Rambus 在一場投資者會議談到未來記憶體趨勢,DDR5 和 HBM3 傳輸速度相較現行產品均翻倍。



如果大家還記得 Rambus 公司,可能都是較為負面的消息,但這家公司手上依然有許多記憶體技術專利,雖然主導的 RDRAM 無論在消費或企業市場都以失敗收場,每年卻靠這些專利擁有破億美元的授權收入,在技術上依然有其領導地位。

根據 ComputerBase 網站的消息,Rambus 近日於投資者會議稍微透露下世代記憶體的規格,HBM3 將使用 7 奈米製程製造,具備 4000Mbps 傳輸速度,DDR5 同樣使用 7 奈米,預期將有 4800Mbps~6400Mbps 的傳輸速度。這些單 pin 針腳傳輸傳輸速度,若是乘上 1024bit 和 64bit 的匯流排位元寬度,則最高相當於 500GB/s 和 50GB/s。

▲ HBM3 和 DDR5 預計最高頻寬均能翻倍。(Source:ComputerBase

現在談下世代記憶體速度只是展望,HBM2 在顯示卡市場還不是相當普及,DDR4 在 AMD 和 Intel 2 家的標準支援速度也才剛剛跨過等效 2666MHz 門檻,還沒有達到 JEDEC 制定的最高規格 3200MHz。Rambus 所提的 7 奈米製程,預計還要經過好幾年才有辦法進入量產階段。

(本文由 T客邦 授權轉載;首圖來源:三星

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