Rambus 揭露下一代記憶體速度,DDR5 與 HBM3 頻寬再翻倍

作者 | 發布日期 2017 年 12 月 11 日 8:01 | 分類 會員專區 , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly


Intel Pentium 4 發售初期,因為市面沒有其他足以匹配 FSB 前端匯流排速度的記憶體,而選擇採用較不常見的 RDRAM 搭配,其後的主要技術來源即為 Rambus 公司。近日 Rambus 在一場投資者會議談到未來記憶體趨勢,DDR5 和 HBM3 傳輸速度相較現行產品均翻倍。

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  • Rambus 揭露下一代記憶體速度,DDR5 與 HBM3 頻寬再翻倍
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