面對中國競爭對手緊追,三星藉提升製程技術維持記憶體產業優勢

作者 | 發布日期 2020 年 04 月 27 日 12:20 | 分類 Samsung , 國際貿易 , 晶圓 Telegram share ! follow us in feedly


日前發表 2020 年首季初步財報,因受惠於記憶體業務的價格回溫與需求成長,讓初步營收報告符合市場預期的南韓三星,為保持記憶體產能的持續成長,因此透過使用製程技術的優化與進步,持續提升產能。

據南韓媒體《Business Korea》報導,2019 年三星花費 1.86 兆韓圜購買新晶圓,雖然較 2018 年花 1.66 兆韓圜提升,但 2019 年新晶圓價格較 2018 年成長 12%,所以比較兩年晶圓的投入量幾乎沒有變化。另一方面,三星 2019 年半導體產量為 8,890 億 Gb,較 2018 年 7,110 億 Gb 成長 39%,說明三星透過製程技術改進,而非設備擴建增加半導體供應和獲利能力收到成效。

報導指出,三星記憶體領域投資,2017 年達 27.35 兆韓圜高峰後,2018 年和 2019 年分別下降至 23.72 兆韓圜和 22.56 兆韓圜。只是相關投入金額雖然降低,但生產力顯著提高,原因就在三星優化與改進製程,以因應 2020 年市場需求與變化。

報導指出,三星在生產記憶體製程的微縮發展,DRAM 方面,現階段正努力將第一代 10 奈米(1x)製程轉換為第二代(1y)或第三代(1z)製程。隨著 DRAM 生產技術升級,單一晶圓生產的記憶體數量也增加 20%~30%。特別的是,採用(EUV)極紫外光刻設備大規模生產的第四代 10 奈米(1a)DRAMs 情況下,相較第一代 1x 製程技術來說,單一晶圓生產的記憶體數量有翻倍數量。

NAND Flash 快閃記憶體的發展,三星也在 2019 年成功量產第六代(1xx 層)NAND Flash 快閃記憶體。相較第五代(9x 層)產品,第六代(1xx 層)NAND Flash 快閃記憶體晶片尺寸更小,每片晶圓的生產量比第五代(9x 層)產品高約 20%。三星預測,NAND Flash 快閃記憶體的單位容量產能,2020 年也將提升 30%,NAND Flash 快閃記憶體出貨量預計也進一步增加。

報導引用南韓半導體市場專家說法表示,因三星有壓倒性的成本競爭力,所以對於競相進入產業的中國對半導體業者來說,預計大量金額投資之後,卻不容易收到市場成效。如中國記憶體大廠長江存儲近日宣佈,將在 2020 年量產 128 層 NAND Flash 快閃記憶體。雖然長江存儲的產品與三星相同,採用「雙堆疊」方式,將兩個 64 層 NAND Flash 快閃記憶體堆疊起來,相較三星是目前唯一一家有技術雙堆疊 90 層以上 NAND Flash 快閃記憶體的廠商,產品技術仍相對落後。

(首圖來源:Flickr/Insider Monkey CC BY 2.0)