相較目前主流的矽晶圓（Si），第三代半導體材料 SiC 與 GaN（氮化鎵）具備耐高電壓特色，並有耐高溫與適合在高頻環境下優勢，其可使晶片面積大幅減少，並簡化周邊電路設計，達成減少模組、系統周邊零組件及冷卻系統體積目標，GaN 應用範圍包括射頻、半導體照明、雷射器等領域。 繼續閱讀..
GaN 在 5G 射頻應用將脫穎而出 |
作者
拓墣產研|發布日期
2018 年 11 月 06 日 7:45 |
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