SK 海力士衝刺先進製程，20 奈米級 DRAM 最快 7 月量產

SK 海力士 20 日舉行股東會，社長朴星昱（Park Sung-wook）宣誓，20 奈米級 DRAM 最快可能在今年 7 月邁入量產，將可在高階產品趕上三星與美光等競爭者。

海力士目前最先進的製程為 25 與 29 奈米，而三星已在去年第四季搶先邁入 20 奈米製程領域，且預估今年下半年，半數 PC 用記憶體都會以 20 奈米製程打造。

據科技網站 kitguru.net 報導，20 奈米製程在 300mm 晶圓上塞進的晶粒數量較 25 奈米多三成，可降低每單位 IC 生產成本，並提高利潤空間。隨著 8GB DDR4 記憶體時代來臨，20 奈米製程被認為是記憶體廠決勝的關鍵。

除了三星之外，美光去年第四季也已開始試生產 20 奈米記憶體，預計今年進入量產，但初期產量將相當有限，預估 2015 年底，每月會有 8 萬片晶圓轉進 20 奈米製程。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載）