三星、SK 海力士 2016 年激戰 18 奈米 DRAM

三星電子、SK 海力士（SK Hynix）與美光（Micron Technology）預料都會在 2016 年開始量產 18 奈米製程技術的 DRAM，下一個目標則將瞄準 10 奈米。

BusinessKorea 13 日報導，三星、SK 海力士在量產 18 奈米 DRAM 之後，打算運用 ASML 製造的極紫外光（EUV）微影設備，目標是在 2020 年將 DRAM 製程技術逐步從 15 奈米進一步演進至 10 奈米。美光也打算在一年內對日本廣島廠注資 1,000 億日圓（相當於 8.34 億美元），量產 16 奈米製程 DRAM，產量可較 20 奈米製程多出 20-30%，對三星與 SK 海力士構成威脅。

不過，想要克服 20 奈米製程的限制，則必須改變介電層的設計，才能使用原子結構比現有的分子結構更為緊密的材料，而美光目前還未取得相關技術，也讓市場專家對美光的野心產生懷疑。另外，若想要導入 16 奈米製程技術，美光也需購入每台要價 1,000 億韓圜（8,700 萬美元）的 EUV 設備，該公司對日本的投資額還不太夠，而 ASML 每年也僅能生產 7-8 台 EUV 設備。

相較之下，三星打算在明年下半年開始量產 18 奈米 DRAM，並計劃將 DRAM 的製程技術從 18 奈米演進至 15 奈米、並於 2020 年進一步拉升至 10 奈米。SK Hynix 在今年第 3 季成功量產 20 奈米 DRAM 之後，將在明年第 1 季研發 18 奈米技術，希望最快能趕在明年下半年量產 18 奈米 DRAM。業界消息人士指出，三星在 20 奈米 DRAM 與競爭對手保持了一年（甚至更多）的差距，但在 10 奈米預料會面臨對手競爭。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載；首圖來源：Flickr/Dick Thomas Johnson CC BY 2.0）