過去中芯就曾侵犯台積電的邏輯製程專利，至於在記憶體技術上，專利既多且廣，美、日、韓等大廠都已累積數十年基礎，未來中國企業將面臨新一波專利訴訟。
從技術與產品來看，許多中國公司因為無法取得授權，只能靠挖角日、韓及台灣團隊，想辦法拼湊組合。以 DRAM 為例，目前代表性公司合肥長鑫，就從南韓 SK 海力士、日本爾必達及台灣華亞科挖角，其中華亞科前資深副總劉大維也被延攬。
至於 3D NAND Flash 代表企業武漢新芯，已和紫光集團合組長江存儲，技術來源就是已併入賽普拉斯（Cypress）的飛索半導體（Spansion）。不過，雙方合作傳聞都還沒動靜，日前長江存儲還發布新聞稿澄清，表示從未發表過 32 層 3D NAND Flash 今年量產的消息，未來後續發展恐怕須再觀察。
根據 IC Insights 2 月公布的報告，中國半導體業倚賴挖角與模仿建立技術基礎，是冒著極大的專利侵權風險；過去中芯就曾侵犯台積電的邏輯製程專利，至於在記憶體技術上，專利既多且廣，美、日、韓等大廠都已累積數十年基礎，未來中國企業將面臨新一波專利訴訟。IC Insights 也預期，中國想在 2025 年達到半導體自給自足目標，難度相當大。
華中科技大學微電子學院執行院長鄒雪城說，中國在半導體行業摸索多年，如今已找到較正確且成功的模式，在中國政府支持下，武漢已成為發展國家儲存器的重鎮，「這項任務既十分光榮，也十分艱鉅，需要下定決心，爭一口氣。」
鄒雪城目前身兼武漢國家積體電路人才培養基地主任、武漢積體電路設計工程技術研究中心主任，十多年前，他曾代表武漢與國際半導體廠進行合作談判，也曾投票反對武漢新芯成立的必要性，原因是當時產業發展的環境與條件都不成熟，而且規模太小，還採取由中芯託管的方式，成功機會不高；不過，如今他認為環境、條件都成熟了，因此積極推動武漢參與國家 240 億美元存儲器的計畫。
中國科學院院士、西安電子科技大學副校長郝躍表示，他多年來與台灣半導體公司交流，對台灣從業人員的敬業態度印象深刻，這也是中國產業界可以好好學習的。郝躍也不諱言，中國在大舉投入半導體建設的同時，也要注意人才不足的問題。郝躍早在 2000 年就投入氮化鉀（GaN）半導體材料的研究，在沒經費、沒基礎的情況下，自己做設備並成功開發產品，他帶領的團隊如今都是中國半導體業的重要人才。
一位中國半導體業界大老說，中國近幾年物價高漲、投資環境惡化，對國際半導體人才的吸引力明顯下降，因此近來中國研擬的「上海五十條」，就是希望能放寬並加強對海外人才的招募。
目前擔任美商新思科技台灣總經理的李明哲，在 2009 至 2014 年間，曾派駐中國擔任新思科技中國總經理，對中國半導體業的觀察深入。他認為，半導體是需要長時間耕耘的行業，中國一流人才都去搞金融或網路，願意投入技術開發的人，相對少很多。台灣因為半導體的基礎深厚，一流人才都投入這個行業，至今還是有很好的優勢，不必太小看自己。
「以中國現在的氛圍來說，整個社會比較追求速成，最好投入網路產業，一個產品推出 3 個月就見真章；但是一顆 IC 從開發到生產，至少要 18 個月才完成，實在太慢了，願意忍受這種寂寞的人很少。」李明哲說。
換個角度想，過去台灣限制面板產業到中國投資，讓「兩隻老虎」友達、群創無法參與中國面板業的建設與成長，也阻斷面板上下游供應鏈的商機；如今中國半導體業重度仰賴台灣的力量，至少在中國崛起過程中，台灣還能分一杯羹，這可能是中國產業邁向盛世前，台灣可以緊緊抓住的最後一波商機了。
（本文由 財訊 授權轉載；首圖來源：shutterstock）
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