2019 年記憶體市況看淡,傳三星擬放慢擴產

作者 | 發布日期 2018 年 12 月 26 日 15:30 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件 follow us in feedly


南韓媒體 Korea Herald 週二報導,有鑒於全球半導體市況不佳,三星為避免記憶體價格快速滑落,正考慮放慢明年記憶體增產速度。

消息人士透露,三星裝置解決方案部門上週舉行半年度策略會議,由副董座金奇南(Kim Ki-nam)親自主持,討論明年記憶體預期供過於求的因應之道,會中談到可能調整 DRAM 與 NAND 快閃記憶體增產步速。

據報導,三星計劃將明年 DRAM 位元成長率(Bit growth)降低至兩成以下,NAND 快閃記憶體則是壓在三成以下。對照三星上個月公布第三季財報時,DRAM 位元成長率預估年增 20%,NAND 快閃記憶體預估年增 40% 左右。(ibtimes.com)

位元成長率以位元容量估計晶片供給增加的量,用以協助晶片廠估計產能。在位元成長率較低的狀況下,三星在增產方面的投資也會轉趨保守。

Borneobulletin.com 報導,由於全球半導體景氣展望負面,三星已調降第四季財測,明年展望也蒙上陰影。分析師預期 2019 上半年記憶體需求下滑,價格將走跌,直到下半年才可能回穩。

據南韓券商估計,三星第四季營業利潤將下滑至 13 兆韓圜,對照第三季的 17.57 兆韓圜,季減 26%。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)

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