SK 海力士 2030 年推 800+ 層堆疊 NAND Flash,屆時 SSD 可達 200TB

作者 | 發布日期 2019 年 08 月 12 日 16:30 | 分類 晶圓 , 會員專區 , 記憶體 Telegram share ! follow us in feedly
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目前,兩大韓系 NAND Flash 廠商──三星及 SK 海力士在之前就已經公布了新 NAND Flash 產品的發展規劃。其中,三星宣布推出 136 層堆疊的第 6 代 V-NAND Flash 之外,SK 海力士則是宣布成功開發出 128 層堆疊的 4D NAND Flash,並已經進入量產階段。不過,雖然兩家廠商競相推出 NAND Flash 的新產品,但是堆疊技術的發展至今仍未到達極限。所以,SK 海力士日前在一場會議上就公布了公司的規劃,預計在 2030 年推出 800+ 層的 NAND Flash,屆時將可輕鬆打造出 100 到 200TB 容量的 SSD。