因應 2020 年市場復甦,三星 80 億美元擴增西安 NAND FLASH 產能

作者 | 發布日期 2019 年 12 月 16 日 9:30 | 分類 國際貿易 , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly


2020 年有機會因需求提升而帶動市場復甦的情況下,根據《路透社》報導,南韓記憶體龍頭三星電子,計畫將對位於中國西安記憶體工廠增加 80 億美元(約新台幣 2,450 億元)投資,以促進 NAND Flash 快閃記憶體的生產。

根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查,2019 年第 3 季 NAND Flash 快閃記憶體的整體營收表現,受惠於年底銷售旺季,以及因應美中貿易衝突客戶提前備貨需求增加,激勵了整體位元出貨量成長近 15%。另一方面,在供應商庫存水位改善下,抑制了以低價對 Wafer 市場倒貨的力道,進而帶動合約價跌幅收斂。至於,展望 2019 年第 4 季,在合約價反應鎧俠(Kioxia)位於四日市廠區跳電事件衝擊止跌反彈後,加上旺季市場需求回溫,將有助於各供應商的獲利表現有所改善。

對此,市場人士分析,由於三星是全球最大的 NAND Flash 快閃記憶體製造商,這類晶片可以可用於行動設備、記憶卡、USB 和 SSD 固態硬碟中。而現階段中國 5G 網路布局提速,對 5G 設備和網路需求的不斷上升,因此預計 2020 年全球NAND Flash 快閃記憶體市場將出現反彈。因此,三星此次投資正值全球記憶體市場預計於2020年反彈之際,加大中國記憶體生產線的投資也是預做準備。

報導指出,這次的投資是三星 NAND Flash 快閃記憶體計畫的第 2 期第 2 階段投資,此前 108 億美元為第 1 期投資。第 2 期計畫預計總投資 150 億美元,包括第 1 階段投資金額約 70 億美元,以及第 2 階段投資金額則為 80 億美元。據悉,第 2 期計畫預計於 2021 年下半年完工,完成後將新增產能每月 13 萬片,新增產值約 300 億人民幣(約新台幣 1,314 億元)。

三星在 NAND Flash 快閃記憶體領域的競爭對手包括南韓 SK 海力士(SK Hynix)和美國美光(Micron Technology)及日本東芝,另外還有幾家中國企業也正試圖進入該領域。雖然日前中國長江存儲(YMTC)宣布,將在 2019 年之前開始大規模生產 64 層 3D NAND Flash 快閃記憶體,不過相對於三星,SK 海力士、美光以及東芝都已經有能力生產 96 層,3D NAND Flash 快閃記憶體的情況下,中國廠商至今仍只能在低階產品中搶食市場,還不足以與這些國際大廠競爭。

(首圖來源:三星)