三星成功開發業界首見 3 奈米 GAA 製程技術,效能增 30%

作者 | 發布日期 2020 年 01 月 03 日 15:15 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


三星電子(Samsung Electronics)已成功開發出業界首款 3 奈米 GAA 製程技術,副會長李在鎔(Lee Jae-yong)1 月 2 日訪問了華城(Hwaseong)晶片廠的半導體研發中心,討論相關的商業化議題。

BusinessKorea、韓國先驅報(Korea Herald)報導,三星電子新開發的 3 奈米 GAA 製程技術,有望協助公司達成「2030 年半導體願景」(即於 2030 年在系統半導體、記憶體晶片領域成為業界領導者)。GAA 是當前 FinFET 技術的升級版,可讓晶片商進一步縮小微晶片體積。

李在鎔 2 日訪問了華城晶片廠,聽取 3 奈米製程技術的研發簡報,並與裝置解決方案(device solutions,DS)事業群的主管討論次世代半導體策略方針。

跟 5 奈米相較,採用 3 奈米 GAA 製程技術的晶片尺寸小了 35%、電力消耗量降低 50%,但運算效能卻能拉高 30%。三星計劃在 2022 年量產 3 奈米晶片。

三星去年發表了 133 兆韓圜(相當於 1,118.5 億美元)的投資計畫,目標是在 2030 年成為全球頂尖的系統單晶片(SoC)製造商。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)

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