武漢肺炎疫情中,三星將啟動中國西安第 2 階段 NAND Flash 工廠興建 作者 Atkinson | 發布日期 2020 年 03 月 18 日 17:50 | 分類 Samsung , 中國觀察 , 手機 | edit 根據南韓媒體《KoreaBusiness》的報導指出,繼日前南韓三星電子在中國西安工廠慶祝第一階段記憶體產品的完成量產與出貨,而未來該工廠的生產線將會生產第 5 代 90 層堆疊以上的 3D V-NAND Flash 快閃記憶體之外,為了消弭投資人擔憂因武漢肺炎疫情而造成的營運中斷現象,南韓記憶體大廠三星預計將在中國西安建立第 2 階段記憶體工廠。 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: NAND FALSH , 三星 , 半導體 , 英特爾 , 記憶體 , 鎧俠 , 長江存儲