英特爾預計 2021 年全面轉向 144 層堆疊 NAND,還將推新 Optane

作者 | 發布日期 2020 年 05 月 11 日 10:15 | 分類 會員專區 , 記憶體 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


處理器龍頭英特爾(Intel)近期在快閃記憶體的發展也隨其他廠商的腳步,開始有新進度。根據外媒報導,英特爾快閃記憶體部門最近公布發展藍圖,其他 NAND 快閃記憶體供應商都開始向 1xx 層堆疊發展當下,身為主要 NAND 製造商之一的英特爾也預計 2021 年全面轉向 144 層堆疊產品。