緊追美光之後,SK 海力士宣布推 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體

作者 | 發布日期 2020 年 12 月 07 日 18:15 | 分類 國際貿易 , 記憶體 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


根據南韓媒體 《ETnews》 的報導,緊追的美商記憶體廠美光科技 (Micron) 之後,南韓記憶體廠 SK 海力士也在 7 日正式發表 176 層堆疊的 512 Gb TLC 4D NAND Flash 快閃記憶體,也代表著 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體時代來臨。

報導指出,SK 海力士說明新的 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體是採用加速技術,使得數據傳輸速度提高了 33%,達到 1.6 Gbps。而預計到 2021 年年中,SK 海力士將推出最大讀取速度提高 70%、最大寫入速度提高 35% 的行動解決方案產品,並計畫推出針對消市場和企業市場的 SSD 產品,進而擴大相關產品的應用市場。

由於在不久前的 11 月初,美商美光科技已經宣佈開始大量出貨全球首款 176 層堆疊的 3D NAND Flash 快閃記憶體。所以,面對競爭對手的來勢洶洶,報導強調 SK 海力士還計畫開發以 176 層堆疊 4D NAND Flash 的 1Tb 密度的快閃記憶體,進一步持續強化其在 NAND Flash 快閃記憶體的業務競爭力。

美光的 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體產品採用美光第 5 代 3D NAND NAND Flash 快閃記憶體技術,以及第 2 代替換柵極架構。因此,相較美光的上一代大容量 3D NAND Flash 快閃記憶體產品,新的 176 層堆疊的 NAND Flash 快閃記憶體將數據讀取和寫入延遲的時間都縮短了 35% 以上。另外,美光的 176 層堆疊的 NAND Flash 快閃記憶體採用緊湊型設計,裸片尺寸比市場最接近同類產品縮小近 30%。而該產品也已經在美光新加坡晶圓製造工廠量產,並向客戶交付。

(首圖來源:Flickr/Kimber Jakes CC BY 2.0)