根據南韓媒體 《ETnews》 的報導，緊追的美商記憶體廠美光科技 (Micron) 之後，南韓記憶體廠 SK 海力士也在 7 日正式發表 176 層堆疊的 512 Gb TLC 4D NAND Flash 快閃記憶體，也代表著 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體時代來臨。
報導指出，SK 海力士說明新的 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體是採用加速技術，使得數據傳輸速度提高了 33%，達到 1.6 Gbps。而預計到 2021 年年中，SK 海力士將推出最大讀取速度提高 70%、最大寫入速度提高 35% 的行動解決方案產品，並計畫推出針對消市場和企業市場的 SSD 產品，進而擴大相關產品的應用市場。
由於在不久前的 11 月初，美商美光科技已經宣佈開始大量出貨全球首款 176 層堆疊的 3D NAND Flash 快閃記憶體。所以，面對競爭對手的來勢洶洶，報導強調 SK 海力士還計畫開發以 176 層堆疊 4D NAND Flash 的 1Tb 密度的快閃記憶體，進一步持續強化其在 NAND Flash 快閃記憶體的業務競爭力。
美光的 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體產品採用美光第 5 代 3D NAND NAND Flash 快閃記憶體技術，以及第 2 代替換柵極架構。因此，相較美光的上一代大容量 3D NAND Flash 快閃記憶體產品，新的 176 層堆疊的 NAND Flash 快閃記憶體將數據讀取和寫入延遲的時間都縮短了 35% 以上。另外，美光的 176 層堆疊的 NAND Flash 快閃記憶體採用緊湊型設計，裸片尺寸比市場最接近同類產品縮小近 30%。而該產品也已經在美光新加坡晶圓製造工廠量產，並向客戶交付。
(首圖來源:Flickr/Kimber Jakes CC BY 2.0)
