摩爾定律再延續!英特爾堆疊式奈米片電晶體讓 IC 電晶體密度再倍增

作者 | 發布日期 2020 年 12 月 31 日 8:00 | 分類 IC 設計 , 晶片 , 會員專區 line share follow us in feedly line share
摩爾定律再延續!英特爾堆疊式奈米片電晶體讓 IC 電晶體密度再倍增


如今幾乎所有數位元件背後的邏輯電路都依賴兩種成對電晶體 NMOS 和 PMOS。相同的電壓訊號會將其中一個電晶體打開,將另一個關閉。放在一起意味著只有發生些微變化時電流才會流通,大大降低功耗。這些成對電晶體已櫛次鱗比在一起好幾十年,但如果電路要繼續縮小,就必須靠得更近。英特爾(Intel)於本週 IEEE 國際電子元件大會(IEEE International Electron Devices Meeting,IEDM)展示全然不同的排列方式:把一對電晶體堆疊在另一對上面。有效將簡單的 CMOS 電路所佔面積減半,意味著未來 IC 積體電路晶片上的電晶體密度可能會增加一倍。