據《日經新聞》報導，日本記憶體大廠鎧俠（Kioxia）開發約 170 層堆疊 NAND Flash，加入了與美國產業競爭對手美光（Micron）和南韓 SK Hynix 的競賽。
根據報導指出，鎧俠新的 NAND Flash 記憶體是與美國合作夥伴威騰電子（Western Digital）共同開發，寫入數據的速度是鎧俠當前最高階產品（112 層堆疊）2 倍以上。鎧俠指出，希望能夠借助這些產品，滿足資料中心和智慧型手機相關的需求，因 5G 通訊興起，帶來更大且更快數據傳輸，也造成更大容量的記憶體需求。但原本該領域的競爭已經加劇，包括美光和 SK Hynix 在鎧俠之前就宣佈開發出 176 層堆疊 NAND Flash。
報導強調，原名東芝記憶體的鎧俠，計畫於正進行的國際固態電路大會，正式宣布推出新款 NAND Flash，並預計最快 2022 年量產。鎧俠表示，目前已成功透過新 NAND Flash 每層整合更多存儲單元，代表與相同容量的記憶體相比，可使晶片面積縮小 30% 以上。較小晶片將使智慧型手機、伺服器和其他相關產品架構設計有更大彈性。
為了提高 NAND Flash 的產量，鎧俠與威騰電子計畫 2021 年春季，於日本的四日市開始建設 1 兆日圓（約 94.5 億美元）新工廠擴產，且預定 2022 年生產第一批產品。目前鎧俠在日本北部現有 Kitakami 工廠旁正積極收購土地，預計用於擴大產能。
（首圖來源：鎧俠）
