三星新款 DDR5 記憶體亮相,採 HKMG 製程效能是 DDR4 兩倍

作者 | 發布日期 2021 年 03 月 25 日 17:00 | 分類 AI 人工智慧 , 晶片 , 記憶體 Telegram share ! follow us in feedly


三星(Samsung)今日宣布,推出業界首個基於 High-K Metal Gate(HKMG)製程的 512GB DDR5 模組,以擴展 DDR5 DRAM 產品組合。據悉,基於 HKMG 製程的 DDR5,其性能是 DDR4 兩倍以上,且速度高達 7,200 Mbps,得以滿足超級運算、人工智慧、機器學習等龐大運算需求。

三星指出,隨著行通裝置、儲存和運算處理的數據量成指數成長,記憶體朝 DDR5 發展是雲端數據中心、網路和邊緣部署的關鍵趨勢。而採用 HKMG 製程的 DDR5,將可為這些業者提供高效能的解決方案,滿足金融市場、自動駕駛、智慧城市、醫學研究,以及其他領域的運算需求。

據悉,三星新推出的 DDR5 採用 HKMG 製程技術,而 HKMG 技術於 2018 年首次在三星的 GDDR6 採用。三星表示,隨著 DRAM 結構不斷縮小,絕緣層變薄,也使得電流更容易洩露;而採用 HKMG 技術,將可以減少電流洩露並進一步提高記憶體性能。

三星進一步說明,新推出的 DDR5 記憶體和之前產品相比,功耗降低約 13%,且透過矽穿孔(TSV)技術,新推出的 DDR5 得以堆疊八層 16Gb DRAM 晶片片,以實現最大的 512GB 容量。TSV 技術首次用於 DRAM 產品上是在 2014 年,當時三星推出了儲存容量為 256GB 的伺服器模組。

(首圖來源:三星

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