三星新款 DDR5 記憶體亮相,採 HKMG 製程效能是 DDR4 兩倍 作者 侯 冠州 | 發布日期 2021 年 03 月 25 日 17:00 | 分類 AI 人工智慧 , 晶片 , 會員專區 | edit 三星(Samsung)今日宣布,推出業界首個基於 High-K Metal Gate(HKMG)製程的 512GB DDR5 模組,以擴展 DDR5 DRAM 產品組合。據悉,基於 HKMG 製程的 DDR5,其性能是 DDR4 兩倍以上,且速度高達 7,200 Mbps,得以滿足超級運算、人工智慧、機器學習等龐大運算需求。 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: DDR5 , dram , HKMG , 三星 , 記憶體