展現 176 層 NAND 與 1α 製程 DRAM 領先優勢,美光為 DC、車用與終端領域釋放數據力量

作者 | 發布日期 2021 年 06 月 11 日 16:00 | 分類 5G , AI 人工智慧 , 晶片 line share follow us in feedly line share
展現 176 層 NAND 與 1α 製程 DRAM 領先優勢,美光為 DC、車用與終端領域釋放數據力量


身處資料經濟時代裡,企業成敗關鍵就在於運用潛藏在數據背後的洞見與力量,記憶體與儲存方案的領導者 Micron 美光科技日前在台北國際電腦展分享,如何透過創新記憶體和儲存技術,讓資料中心到智慧終端的運算性能再進化,並在徹底發揮 AI 與 5G 創新應用動能後,全面加速數據洞見與智慧化進程的願景。該公司也在盛會上發表一系列全球首款基於 176 層 NAND 與 1α DRAM 技術的記憶體與儲存產品,以及全球第一款支援 UFS 3.1 介面的車用儲存方案。