展現 176 層 NAND 與 1α 製程 DRAM 領先優勢,美光為 DC、車用與終端領域釋放數據力量

作者 | 發布日期 2021 年 06 月 11 日 16:00 | 分類 5G , AI 人工智慧 , 晶片 Telegram share ! follow us in feedly


身處資料經濟時代裡,企業成敗關鍵就在於運用潛藏在數據背後的洞見與力量,記憶體與儲存方案的領導者 Micron 美光科技日前在台北國際電腦展分享,如何透過創新記憶體和儲存技術,讓資料中心到智慧終端的運算性能再進化,並在徹底發揮 AI 與 5G 創新應用動能後,全面加速數據洞見與智慧化進程的願景。該公司也在盛會上發表一系列全球首款基於 176 層 NAND 與 1α DRAM 技術的記憶體與儲存產品,以及全球第一款支援 UFS 3.1 介面的車用儲存方案。

在今後數據導向的新世界中,誰掌握了數據的力量,就等於掌握致勝的關鍵,換言之,數據分析與洞見已然成為企業獲得創新動能的關鍵源泉。美光執行副總裁兼事業長 Sumit Sadana 表示:「在全新資料經濟背後,AI 人工智慧與 5G 成為兩大關鍵趨勢與動能,兩相結合下將打造諸多超乎想像的機會和創新。」他進一步指出,記憶體和儲存技術、演算法與深度學習應用,以及數據可得性與潛能,成為 AI 創新的三大動能。在 5G 高頻寬、低延遲與多端點連接等優勢的加持下,為 IoT 物聯網與 M2M 機聯網奠定厚實基礎,造就了終端數據的爆炸性成長,並帶來顛覆性的創新與價值突破。

業界首款 176 層 PCIe Gen4 SSD 系列,滿足極致功耗效率儲存需求

在市場打滾 40 多年的美光,如今最值得大書特書的新里程碑,莫過於首度在 NAND 和 DRAM 領域同時取得節點與量產的領先優勢,這也成為該公司在今年台北國際電腦展上的重頭戲。

首先就 NAND SSD 來說,隨著 Covid-19 英國/印度變種的持續延燒,居家學習與辦公趨勢大幅增長,進而帶動 2021 年 PC 市場呈現日產量約為 100 萬台的爆發型成長,其中尤以輕薄型筆電的成長最顯著。為了實現快速開機、多重顯示器、多工應用與多人線上遊戲等需求,愈來愈多的筆電開始只搭載 M.2 SSD。對此,美光正式宣布推出全球首款採用 176 層 NAND 技術的 PCIe Gen4 SSD。

「隨著美光推出先進 176 層 NAND以及 QLC 四層儲存單元(Quad-Level Cell) NAND 技術,我們可以滿足消費者更高容量、更低耗能、更小尺寸與更低成本的儲存需求,」美光企業副總裁暨儲存業務事業部總經理 Jeremy Werner 表示。「PCIe Gen4 的採用預計會在今年秋季進入高潮,2021 年到 2023 年間的出貨量將成長超過 6 倍。

▲ 2021 年到 2023 年間 PCIe Gen4 SSD 出貨量將成長超過 6 倍。(Source:Micron)

目前美光將推出兩款支援 176 層 NAND 技術的 NVMe 1.4 M.2 SSD 產品系列:包括效能型 Micron 3400 與實惠型 Micron 2450。前者主打 3D 動畫、CAD/CAM設計與遊戲等高階應用,比起上一代 Micron 2300 產品,其讀取速度高達 2 倍,寫入速度則提升了 85%,最高容量可達 2TB。後者能為日常作業提供卓越使用體驗,最高容量達 1TB,共有三種不同尺寸可供選擇,其中最小只有 22×30mm,約莫 25 美分硬幣大小。

▲ 效能型 Micron 3400 SSD。(Source:Micron)

▲ 三種不同尺寸的 Micron 2450 SSD,最小款約莫 25 美分硬幣大小。(Source:Micron)

由於這兩款產品系列具備絕佳的功耗效率,因而名列 Intel  現代待機合作夥伴入口平台元件清單(Modern Standby Partner Portal Platform Component List),同時符合 Intel 雅典娜創新計畫(Project Athena)Open Lab 的 SSD 測試要求。除此之外,也獲得 AMD PCIe Power Speed Policy 與 Windows Modern Standby 驗證。

美光推全球首款 1α 製程 LPDDR4X 與 DDR4,並致力打造 DDR5 生態系統

美光最受矚目的成就之一,莫過於其在 DRAM 製程技術的不斷突破,該公司早在 1 年前就領先業界首創 1z 製程,今年初更再接再厲推出記憶體容量提升多達 40% 的 1α 製程技術。

在此技術加持下,美光正式宣佈推出兩款全球首先採用 1α 製程的 LPDDR4X 與 DDR4 記憶體節點,前者適用於手機與 PC 客戶,並已在 6 月份全面開始大量出貨。該產品比起 1z 製程節點,不論在功耗(降低 15%)、電池續航力、尺寸與使用者體驗上皆更勝一籌。後者鎖定資料中心客戶,目前已在許多資料中心平台進行驗證,並正式大量出貨。

▲ 全球首款採用 1α 製程的美光 LPDDR4X。(Source:Micron)

此外,比起 DDR4,擁有兩倍最高資料傳輸速率(6400 Mbps)、突發傳輸週期(Burst Length)、Bank Group 分組架構與 Bank 記憶庫的 DDR5,已被視為今後記憶體的下一步創新標準,更是讓 AI 等超高記憶體容量需求之應用發揮最佳效能的利器。

對此,美光總裁暨執行長 Sanjay Mehrotra 表示,2020 年起該公司便開始積極推動 DDR5「技術應用支援計畫」(Technology Enablement Program, TEP),以便打造出能讓合作夥伴加速解決方案設計、驗證與上市時間的 DDR5 生態系統。截至目前為止,已有來自超過 100 家企業、250 位設計及技術領袖共襄盛舉。美光資深副總裁暨運算與網路事業部總經理 Raj Hazra並補充指出:「允許記憶體和處理器以開放形式連接的 CXL 直連記憶體(Compute Express Link)開放標準則是美光另一項關注焦點,透過該標準得以創建近端與遠端記憶體兩種階層,這對推動未來資料中心系統級轉型有莫大助益」。

▲ 美光 2020 年起開始積極推動 DDR5 TEP 計畫。(Source:Micron)

滿足未來智慧駕駛體驗,美光推出全球首款 UFS 3.1 NAND 快閃記憶體

根據美光預測,到了 2025 年,有 75% 的數據會在資料中心以外的地方(包括手機、工業、網路與車用領域)產生與處理,汽車儼然成為有輪子的資料中心。正因為如此,除了前述 176 層 NAND 和 1α DRAM 製程上的領先業界創新外,身為車用記憶體領先供應商的美光,在會場上發表的另一個重點就是全球第一款 UFS 3.1 介面車用儲存方案,包括 128GB 與 256GB 兩種不同容量的 96 層 NAND 快閃記憶體皆已開始送樣,預計 2021 年第三季度開始量產。

相較於 EMMC 5.1 車用記憶體,UFS 3.1 提供 5 倍快的讀取速度、50% 快的持續寫入速度,其讀取速度也比 UFS 2.1 快兩倍。美光並宣布加入高通 Snapdragon 汽車駕駛座艙平台(Qualcomm Snapdragon automotive Cockpit platforms),該平台將美光 UFC 產品作為主要搭載的儲存方案,進而為未來駕駛提供更迅捷的立即啟動、應用載入、平順切換與無線更新體驗。

▲ 美光推出全球第一款 UFS 3.1 介面車用儲存方案。(Source:Micron)

美光企業副總裁暨嵌入式業務事業部總經理 Kris Baxter 總結道:「無論 PC、手機或車用規格,美光採取全新的心態從上游著手,確保技術能符合車內操作的需求。我們從電晶體、韌體、產品開發的層級開始,確保該產品在開發階段早期便具有全面車用的能力。」

(首圖為美光總裁暨執行長 Sanjay Mehrotra,圖片來源:美光)

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