三星電子（Samsung Electronics Co.）決心要趕在台積電前，將新一代 3 奈米 GAA 製程技術商業化。
Business Korea 26日報導，三星「裝置解決方案」（Device Solution，DS）事業部科技長Jeong Eun-seung 25日在線上召開的三星科技暨事業論壇（Samsung Tech & Career Forum）上指出，「我們的GAA製程開發進度領先主要競爭對手（台積電），若能確實鞏固技術，則三星的晶圓代工事業有望進一步茁壯。」
報導稱，三星舉行論壇的目的是為了吸引全球工程師。GAA是3奈米製程技術的重要一環，近期有望獲全球頂尖的晶圓代工商採納，其關鍵在將電晶體架構從3D（FinFET）轉換成4D（GAA）。三星指出，2019年跟客戶測試3奈米GAA設計套件後發現，這種技術可將晶片面積縮減45%、省電效能提升50%。
Jeong 25日並表示，「三星2017年才成立晶圓代工事業，但以公司在記憶體專長，取代台積電指日可待。」他舉例指出，三星曾領先台積電開發出一款採用FinFET技術的14MHz產品。
2011~2020年期間，全球有31.4%的GAA專利來自台積電，僅20.6%來自三星。
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