三星稱 3 奈米 GAA 製程進度領先台積電!將搶先商業化

作者 | 發布日期 2021 年 08 月 26 日 14:00 | 分類 Samsung , 晶圓 , 晶片 Telegram share ! follow us in feedly


三星電子(Samsung Electronics Co.)決心要趕在台積電前,將新一代 3 奈米 GAA 製程技術商業化。

Business Korea 26日報導,三星「裝置解決方案」(Device Solution,DS)事業部科技長Jeong Eun-seung 25日在線上召開的三星科技暨事業論壇(Samsung Tech & Career Forum)上指出,「我們的GAA製程開發進度領先主要競爭對手(台積電),若能確實鞏固技術,則三星的晶圓代工事業有望進一步茁壯。」

報導稱,三星舉行論壇的目的是為了吸引全球工程師。GAA是3奈米製程技術的重要一環,近期有望獲全球頂尖的晶圓代工商採納,其關鍵在將電晶體架構從3D(FinFET)轉換成4D(GAA)。三星指出,2019年跟客戶測試3奈米GAA設計套件後發現,這種技術可將晶片面積縮減45%、省電效能提升50%。

Jeong 25日並表示,「三星2017年才成立晶圓代工事業,但以公司在記憶體專長,取代台積電指日可待。」他舉例指出,三星曾領先台積電開發出一款採用FinFET技術的14MHz產品。

2011~2020年期間,全球有31.4%的GAA專利來自台積電,僅20.6%來自三星。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:三星

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