第三代半導體議題當紅，美商應材公司立即推出新產品，協助全球領先的碳化矽 (SiC) 晶片製造商，從 150 毫米 (6 吋) 晶圓製造升級到 200 毫米 (8 吋)，增加每片晶圓裸晶 (die) 約一倍產量，滿足全球對優質電動車動力系統日益增加的需求。
由於 SiC 功率半導體可高效將電池功率轉化為扭力，並提高電動車的性能和續航能力，因此市場需求極高。和矽比較，SiC 較堅硬，原生缺陷可能導致電氣性能、功率效率、可靠性和產能下降，需更先進的材料工程技術優化裸晶圓生產，並建構對晶格損害最小的電路。
應材強調，SiC 晶圓表面品質對 SiC 元件的製造至關重要，因晶圓表面任何缺陷都會轉到後續系統層。為了生產表面品質最佳的均勻晶圓，應材公司開發 Mirra Durum CMP 系統，可將拋光、材料移除測量、清洗和乾燥整合到同系統。與機械輪磨 (grinding) 的 SiC 晶圓相比，新系統可將成品晶圓的表面粗糙度降低 50 倍，與批次 CMP 加工系統相較，粗糙度降低 3 倍。
製造 SiC 晶片時，透過離子植入法將摻質 (dopant) 置於材料中，協助實現和引導高功率生產電路電流流動。但 SiC 材料密度和硬度同時也面臨極大製程挑戰：包括摻質注入、準確放置啟動，以及最大限度減少破壞晶格，以避免降低效能和功率效率。150 毫米和 200 毫米 SiC 晶圓的新型 VIISta 900 3D 熱離子植入系統，可解決這些挑戰。因熱植入技術在注入離子時對晶格結構的破壞最小，與常溫植入相比，電阻率降低 40 倍以上。
應用材料公司副總裁暨 ICAPS (物聯網、通訊、汽車、電源和感測器) 事業處總經理 Sundar Ramamurthy 表示，為推動電腦革命，晶片製造商轉向更大型的晶圓尺寸，來大幅增加晶片產量，以滿足不斷成長的全球需求。受惠應材工業規模先進材料工程專業知識，產業又將進入另一場革命的早期階段。
(首圖來源：應用材料)
