晶圓擴廠還不夠,英特爾超車台積電「關鍵在 ASML」

作者 | 發布日期 2021 年 09 月 09 日 9:24 | 分類 晶圓 , 晶片 , 材料、設備 Telegram share ! follow us in feedly


處理器龍頭英特爾 8 日宣布,計劃 10 年內在歐洲新建造至少兩家晶圓廠,投資金額高達 800 億歐元,同時更新愛爾蘭晶圓廠,當成專門生產車用晶片的據點。《華爾街日報》指出,英特爾救星的確在歐洲,但並非晶圓廠,而是需從艾司摩爾(ASML)獲得尖端工具,縮小與台積電的差距。

《華爾街日報》指出,台積電晶圓代工實力領先英特爾,還幫助輝達、超微(AMD)等對手在關鍵市場挑戰英特爾,引導蘋果、亞馬遜和 Google 等科技巨頭設計出自家處理器,搶走英特爾晶片市場的制霸地位。

報導認為,如果想拉近跟台積電的差距,不光是建造更多工廠,很大程度取決於能否從荷蘭商 ASML 獲得下一代晶片製造設備。ASML 是全球唯一量產極紫外光曝光機(EUV)的廠商,台積電、三星、英特爾先進製程都依賴 EUV 曝光機生產。

英特爾 7 月正式揭露製程與封裝技術最新藍圖時,就強調迅速轉往下世代 EUV 工具計畫,稱為高數值孔徑(High NA)EUV,英特爾有望獲得業界首款 High NA EUV 量產工具。執行長 Pat Gelsinger 也在 7 月提到兩家公司的長期合作關係,他表示,一旦最新 EUV 工具上市,英特爾就會立即採用。

研究機構半導體顧問公司(Semiconductor Advisors)分析師 Robert Maire 認為,如果英特爾優先獲得這些工具,很可能在摩爾定律競賽領先台積電。

現階段每台 EUV 曝光機單價將近 1.5 億美元,但 ASML 的 EUV 曝光機目前出貨都是光源波長 13.5 奈米左右的第一代產品,物鏡 NA 數孔徑是 0.33,據 ASML 表示,第二代 EUV 曝光機已進入開發階段。

ASML 第二代 EUV 曝光機型號是 NXE:5000 系列,物鏡 NA 值升到 0.55,提高曝光精準度。第二代 EUV 曝光機研發階段遭遇瓶頸,所幸神隊友東京電子(東京威力科創 Tokyo Electron)救援,雙方聯合發展下一代 EUV 曝光機生產,目前預計仍維持 2023 年問世。

(首圖來源:shutterstock)