三星放話超車 2 奈米?台積電龍頭地位穩如山

作者 | 發布日期 2021 年 10 月 08 日 10:45 | 分類 晶片 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


南韓三星電子昨日搶先揭露 2 奈米製程規劃,預計採用專屬的 GAA 架構(環繞式閘極結構)架構,目標 2025 年量產,而第一代 3 奈米製程則預計 2022 年上半年問市,2023 年還會有第二代產品。

分析師認為,儘管三星意圖超車的態度鮮明,但從技術、良率、營運管理能力與客戶關係等多層面來看,台積電擁有絕對優勢,業界龍頭地位依舊穩如山。

台積電 2 奈米 GAA 有望在 2024 導入量產

根據三星在年度晶圓論壇上所揭露的訊息,公司首個3奈米GAA製程良率正接近4奈米,並預計2022年上半年量產第一代3奈米3GAE製程,接著會在2023年推出第二代3奈米3GAP製程技術;並首度發表2奈米製程規劃,目標在2025年搶先商用生產2奈米晶片。

不同於三星在3奈米導入GAA架構,台積電預計在2022年下半年量產3奈米FinFET(鰭式場效電晶體)製程,目前僅公布2奈米廠落腳新竹,並未說明技術及量產時程,因此部分人士憂心,台積電在技術進展上有落後三星的風險。

業界人士表示,三星計劃採用的GAA架構,據稱可更精準地控制通道電流、縮小晶片面積、降低耗電量。值得注意的是,GAA並不是近期才出現新的技術,且Performance更好是眾所皆知,只是過去都停留在實驗室階段,量產的難度相當高。

他指出,儘管台積電目前僅對外正式宣布2奈米生產據點,實際上公司早已著手2奈米GAA的研發,將採用全新世代的奈米層片(nanosheet)架構,推測量產時間將落在2024年下半年。

台積電3奈米製程  更具性價優勢

台積電會在3奈米延用FinFET架構,主要是綜合考量成本競爭力、效能表現、技術成熟度後的抉擇。對台積電而言,FinFET生態系統已相當成熟,相對具備成本效益。由於GAA難度更高,在先進製程成本不斷墊高的趨勢下,更需要穩紮穩打向前推進,才能提供客戶兼具性價比的解決方案。

據了解,台積電3奈米已進入風險性試產階段,目標明年中旬月產能拉升到約5~6萬片規模,並由大客戶蘋果率先在iPhone導入;同時,公司也規劃推出改款版的3奈米製程(即啟動持續改善計畫,Continuous Improvement Plan,CIP),價格更具競爭力,量產時程估落在2023年。

事實上,目前半導體業者普遍對三星明年上半年量產GAA持保留態度,主要是因為4D的GAA製程較3D的FinFET複雜許多,三星能不能順利量產並兼顧良率,且進一步應用到非自家的產品上,仍有待觀察。再者,GAA製程價格勢必會比FinFET再貴一截,在有其他選項(台積電3奈米)下,客戶買單意願恐怕不高。

整體來看,分析師則認為,對晶圓代工業者來說,比的不會只有技術多領先、有多快,而是對製程、技術的掌握度,才能保有優異良率並達成量產目標,與客戶互利雙贏。台積電從技術、良率、營運管理能力、產能規模乃至客戶關係都獨占鰲頭,霸主地位難以被他人撼動。

業績方面,台積電預計在今日公布9月營收,法人預期,儘管近期終端需求雜音紛陳,惟受惠於美系客戶手機新機上市,9月營收有機會挑戰1,500億元的新高紀錄。第四季隨著其他大客戶陸續導入5奈米家族製程,有望持續向上成長,全年營收年增逾20%目標達陣無虞。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:台積電

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