三星放話超車 2 奈米？台積電龍頭地位穩如山

南韓三星電子昨日搶先揭露 2 奈米製程規劃，預計採用專屬的 GAA 架構（環繞式閘極結構）架構，目標 2025 年量產，而第一代 3 奈米製程則預計 2022 年上半年問市，2023 年還會有第二代產品。

分析師認為，儘管三星意圖超車的態度鮮明，但從技術、良率、營運管理能力與客戶關係等多層面來看，台積電擁有絕對優勢，業界龍頭地位依舊穩如山。

根據三星在年度晶圓論壇上所揭露的訊息，公司首個3奈米GAA製程良率正接近4奈米，並預計2022年上半年量產第一代3奈米3GAE製程，接著會在2023年推出第二代3奈米3GAP製程技術；並首度發表2奈米製程規劃，目標在2025年搶先商用生產2奈米晶片。

不同於三星在3奈米導入GAA架構，台積電預計在2022年下半年量產3奈米FinFET（鰭式場效電晶體）製程，目前僅公布2奈米廠落腳新竹，並未說明技術及量產時程，因此部分人士憂心，台積電在技術進展上有落後三星的風險。

業界人士表示，三星計劃採用的GAA架構，據稱可更精準地控制通道電流、縮小晶片面積、降低耗電量。值得注意的是，GAA並不是近期才出現新的技術，且Performance更好是眾所皆知，只是過去都停留在實驗室階段，量產的難度相當高。

他指出，儘管台積電目前僅對外正式宣布2奈米生產據點，實際上公司早已著手2奈米GAA的研發，將採用全新世代的奈米層片（nanosheet）架構，推測量產時間將落在2024年下半年。

台積電會在3奈米延用FinFET架構，主要是綜合考量成本競爭力、效能表現、技術成熟度後的抉擇。對台積電而言，FinFET生態系統已相當成熟，相對具備成本效益。由於GAA難度更高，在先進製程成本不斷墊高的趨勢下，更需要穩紮穩打向前推進，才能提供客戶兼具性價比的解決方案。

據了解，台積電3奈米已進入風險性試產階段，目標明年中旬月產能拉升到約5~6萬片規模，並由大客戶蘋果率先在iPhone導入；同時，公司也規劃推出改款版的3奈米製程（即啟動持續改善計畫，Continuous Improvement Plan，CIP），價格更具競爭力，量產時程估落在2023年。

事實上，目前半導體業者普遍對三星明年上半年量產GAA持保留態度，主要是因為4D的GAA製程較3D的FinFET複雜許多，三星能不能順利量產並兼顧良率，且進一步應用到非自家的產品上，仍有待觀察。再者，GAA製程價格勢必會比FinFET再貴一截，在有其他選項（台積電3奈米）下，客戶買單意願恐怕不高。

整體來看，分析師則認為，對晶圓代工業者來說，比的不會只有技術多領先、有多快，而是對製程、技術的掌握度，才能保有優異良率並達成量產目標，與客戶互利雙贏。台積電從技術、良率、營運管理能力、產能規模乃至客戶關係都獨占鰲頭，霸主地位難以被他人撼動。

業績方面，台積電預計在今日公布9月營收，法人預期，儘管近期終端需求雜音紛陳，惟受惠於美系客戶手機新機上市，9月營收有機會挑戰1,500億元的新高紀錄。第四季隨著其他大客戶陸續導入5奈米家族製程，有望持續向上成長，全年營收年增逾20%目標達陣無虞。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載；首圖來源：台積電）