2020 年英特爾確認第四代 Xeon 可擴充處理器，也就是 Sapphire Rapids 處理器將支援高頻寬記憶體 (HBM)，但英特爾沒有透露細節。外媒《TomsHardware》報導，近期國際微電子暨構裝學會 (IMAPS) 主辦的的國際微電子研討會，英特爾首次展示採用 HBM 記憶體的 Sapphire Rapids 處理器，並確認採用 chiplet 小晶片設計。
英特爾介紹，採用 HBM 記憶體的 Sapphire Rapids 處理器，既可選擇不用 DDR5 記憶體，將 HBM 記憶體當成主記憶體（就像富士通 A64FX 處理器），也可選擇 DDR5 記憶體與 HBM 記憶體混用，HBM 記憶體更像大型暫存記憶體，在處理器和 DDR5 記憶體間發揮功用。
從這次展示採用 HBM 的 Sapphire Rapids 處理器可看到，Sapphire Rapids 有 4 個小晶片，每個小晶片對應 2 個 HBM 記憶體堆疊，記憶體位寬為 2,048 位。據固態技術協會 (JEDEC) 定義的 HBM2E 規範，最高數據傳輸速率為 3.2GT/s。不過南韓 SK 海力士 2020 年大量生產數據傳輸速率為 3.6GT/s 版，代表採用 HBM 記憶體的 Sapphire Rapids 處理器最高可有 3.68TB/s 記憶體頻寬，但記憶體容量僅限 128GB。採用 HBM 記憶體的 Sapphire Rapids 處理器使用的 BGA 封裝，由於 LGA 4677 空間很有限，沒辦法提供足夠空間容納 HBM 記憶體堆疊。
採用 HBM 記憶體可有高性能記憶體子系統，不過也代表會有較高頻率和 TDP，功耗和發熱是需面對的問題。照英特爾說法，採用 HBM 記憶體的 Sapphire Rapids 處理器只提供特定客戶，主要針對超級電腦領域。採用 HBM 記憶體 Sapphire Rapids 處理器的小晶片架構設計，可能與普通 Sapphire Rapids 處理器有差別。
(首圖來源：英特爾)
