三星預計最快年底推出 200 層堆疊以上 NAND Flash 快閃記憶體 作者 Atkinson | 發布日期 2022 年 02 月 09 日 16:40 | 分類 Samsung , 會員專區 , 記憶體 | edit 外媒報導,全球半導體企業為了先量產 200 層堆疊以上 NAND Flash 快閃記憶體,展開激烈競爭。南韓三星計劃 2022 年底或 2023 上半年推出 200 層堆疊以上 NAND Flash 記憶體,2023 上半年開始量產供應市場。 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: NAND Flash , SK 海力士 , 三星 , 美光 , 記憶體