三星預計最快年底推出 200 層堆疊以上 NAND Flash 快閃記憶體

作者 | 發布日期 2022 年 02 月 09 日 16:40 | 分類 Samsung , 記憶體 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


外媒報導,全球半導體企業為了先量產 200 層堆疊以上 NAND Flash 快閃記憶體,展開激烈競爭。南韓三星計劃 2022 年底或 2023 上半年推出 200 層堆疊以上 NAND Flash 記憶體,2023 上半年開始量產供應市場。

南韓媒體《BusinessKorea》報導,三星電子原計劃 2021 年底量產 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體,但考慮到那時市況,最後決定延後到 2022 年第一季。但美商記憶體大廠美光搶先量產 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體,市場人士預測,三星將加速 200 層堆疊以上 NAND Flash 快閃記憶體量產步伐,以奪回美光搶走的技術領先頭銜。

三星預計 128 層堆疊單片記憶體上再疊 96 層,共推出 224 層 NAND Flash 快閃記憶體。產品推出後與 176 層堆疊產品相較,224 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體生產效率和數據傳輸速度可提高 30%。

目前除了三星積極布局 200 層堆疊以上 NAND Flash 快閃記憶體,其他還有美光和南韓記憶體大廠 SK 海力士,也在加速 200 層以上 NAND Flash 快閃記憶體開發,預計將是另一個 NAND Flash 快閃記憶體的決戰領域。

(首圖來源:三星)