三星預計最快年底推出 200 層堆疊以上 NAND Flash 快閃記憶體
作者 | 發布日期 2022 年 02 月 09 日 16:40 | 分類 Samsung , 會員專區 , 記憶體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
三星預計最快年底推出 200 層堆疊以上 NAND Flash 快閃記憶體


外媒報導，全球半導體企業為了先量產 200 層堆疊以上 NAND Flash 快閃記憶體，展開激烈競爭。南韓三星計劃 2022 年底或 2023 上半年推出 200 層堆疊以上 NAND Flash 記憶體，2023 上半年開始量產供應市場。

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