俄羅斯定半導體計畫,逆向工程年底衝 90 奈米、2030 年達 28 奈米

作者 | 發布日期 2022 年 04 月 17 日 9:00 | 分類 IC 設計 , 國際觀察 , 晶圓 Telegram share ! follow us in feedly


根據外媒《tomshardware》的報導,俄羅斯因俄烏戰爭而受到西方國家的制裁,無法從一般的供應商取得晶片。因此,俄羅斯正在制定計畫,以重振其陷入困境的半導體製造。俄羅斯計劃,新的晶片計畫將關係未來 8 年的龐大投資,目標是在 2022 年底前開發出 90 奈米製程,2030 年底開發出 28 奈米製程。

報導指出,俄羅斯政府已經規劃了新的微電子發展計畫的初步版本,預計到 2030 年需要投資約 3.19 兆盧布(約 384.3 億美元),而透過這筆資金,以用於開發半導體生產技術、晶片設計、資料中心基礎設施開發、以及相關半導體人才培育、加上晶片解決方案的行銷等。

其中在半導體生產技術方面,俄羅斯計劃花費 4,200 億盧布 (約 52 億美元) 用於新的製造技術及其提升。短期目標之一,是在 2022 年底前達成以 90 奈米製造技術來提高晶片的產量。另一個更長期的目標,則是到 2030 年建立使用 28奈米節點的製造,相較於台積電,在這個技術節點已經於 2011 年完成。

報導指出,過去俄羅斯在軟體和高科技服務方面相當成功,不過,在晶片設計和製造方面則相對落後。雖然,計畫中一部分的目標是在培養俄羅斯國內的半導體人才和發展 IC 設計產業。但是,當前計畫中最重要的一項目標,就是在 2022 年底前建立一個「外國解決方案」的逆向工程計畫,將其技術轉移到俄羅斯手中。到 2024 年,規劃所有數位產品都能在俄羅斯國內生產。

報導強調,雖然俄羅斯的計畫包含很多內容,並逐一設定了目標。不過,要注意的是,到目前為止,即使是中國也沒有辦法將相當一部分關鍵晶片製造進行國產化。因為在無法使用美國、英國或者是歐洲開發的技術下,俄羅斯是否會在 2024 年或 2030 年之前實現其目標,目前還很難說,但這並不意味著沒有實現的可能。而針對整個計畫,預計將於 2022 年 4 月 22 日確定,然後送交俄羅斯總理正式進行批准。

(首圖來源:wiki)